【硬件工程师面经整理29_FPGA】

1 nand nor的区别，速度差异的原因？

逻辑门？/闪存？
闪存的话：
NAND Flash和NOR Flash的区别主要在于它们的存储结构不同。NAND Flash的存储单元是串联的，而NOR Flash的存储单元是并联的。因此，NAND Flash在写入和擦除大量数据时比NOR Flash快得多，两者相差近千倍；但是数据量小的时候，比如几个字节，NOR Flash比NAND Flash擦写速度快。
逻辑门的话：
NAND和NOR是逻辑门的两种基本类型，它们分别表示逻辑的“与非”和“或非”。其主要区别在于它们的逻辑输出和输入之间的关系。
NAND门输出在所有输入都是高电平时为低电平，其余情况为高电平。而NOR门输出在所有输入都是低电平时为高电平，其余情况为低电平。这意味着，在某些情况下，使用NAND门和使用NOR门可以达到相同的逻辑结果，但是它们的输入和输出布尔代数形式不同。
就速度而言，NAND门的速度通常比NOR门快，这是因为NAND门只需要在所有输入都为高电平时输出低电平，而NOR门则需要在所有输入都为低电平时输出高电平。由于CMOS技术通常使用pMOS和nMOS管来实现逻辑门，nMOS管的开关速度要比pMOS管快，因此，NAND门通常比NOR门快。
但是需要注意的是，不同的制造工艺和具体的电路设计可能会导致NAND门和NOR门的速度差异不同，具体速度还需要根据具体情况评估。

2 nand驱动方式？

NAND驱动方式指的是通过对NAND闸极上的电压进行调控来实现NAND Flash存储芯片的读写操作。具体来说