为高性能FPGA平台选择合适的存储器

最新推荐文章于 2024-04-03 17:17:44 发布

NETSOL

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文章标签： FPGA SRAM SDRAM 存储器

本文链接：https://blog.csdn.net/NETSOL/article/details/108830773

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本文探讨了在高性能FPGA平台上选择合适存储器的问题，对比了SDRAM和RLDRAM的延迟，强调了同步SRAM的优势，特别是QDR SRAM在随机访问性能和低延迟方面的卓越表现。QDR-IV SRAM因其高吞吐量、低延迟和特殊端口设计适合用于低延迟交易和数据包处理。SRAM的附加功能如ECC、ODT和去偏斜训练也提高了整体系统可靠性。在 FPGA 解决方案中，QDR 存储器正逐渐成为高性能应用的首选，为交易者带来竞争优势。

摘要由CSDN通过智能技术生成

从纯技术角度考虑两个最广泛使用的DRAM选项-同步DRAM（SDRAM）和减少延迟的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在过去10年中没有实质性的发展，约为48ns，这与21MT/s的RTR相关。其他基于DRAM芯片的存储设备已被设计为以密度为代价提高tRC。例如RLD RAM3的RC为8ns，与125MT/s的RTR相关。从本质上讲DRAM芯片是针对涉及确定性计算算法的顺序访问进行优化的，但高频交易却无法做到这一点。

更好的替代方法是同步SRAM存储器。尽管基于DRAM芯片的内存提供更高的内存容量，但它们无法满足交易平台缓存所要求的延迟和性能。数十年来，SRAM存储器一直是大多数高性能应用程序的首选存储器。与一般的基于DRAM芯片的解决方案相比，基于SRAM的解决方案速度提高了24倍。

在SRAM存储器中，QDR SRAM系列可提供世界上任何形式的存储器中最高的性能。QDR SRAM专门为突发随机访问而构建。借助专用于读写的端口，QDR存储器非常适合平衡的读写操作（如订单簿管理）。赛普拉斯的QDR-IV等最新的QDR SRAM更进一步，并提供了两个双向端口。当读取和写入的混合不平衡时，这使QDR-IV高效，例如TCP/IP处理查找和提要处理之类的操作就是这种情况。

下表提供了各种核心内存技术解决方案的比较：
在这里插入图片描述
QDR-IV内存的RTR为2132MT/s，延迟为7.5ns。考虑到FPGA解决方案的随机存取性能至关重要，这些存储器可帮助大幅降低总体交易延迟。该SRAM的高工作频率和双端口操作可实现为要求苛刻的网络环境而构建的超低延迟数据包缓冲区。QDR-IV的无与伦