模电 Day8

MOS场效应管工作原理及特性曲线

一、绝缘栅场效应管的结构、类型及符号
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N沟道增强型MOS管

  1. 栅源电压 U G s U_Gs UGs对导电沟道的控制作用( U G s = 0 U_Gs=0 UGs=0)
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    因为外加了 U G s U_Gs UGs,所以N+源极和漏极与P型衬底之间的NP结发生反偏,NP结扩大,当 U G s U_Gs UGs加到一定大的程度时,产生导电沟道。此时的电压称为开启电压 U G s t h U_Gsth UGsth
  2. 漏源电压 U G s U_Gs UGs对导电沟道的控制作用( U G s > U G s t h U_Gs>U_Gsth UGs>UGsth)
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    在漏极在加上一个外加电压 U D s U_Ds UDs,因为有外加电压,所以漏极的反偏变弱,当 U D s U_Ds UDs变到一定即不发生反偏,即为预夹断。
    N沟道增强MOS管的伏安特性曲线
    1 输出特性 i D = f ( u D s ) l u G s = C i_D=f(u_Ds)lu_Gs=C iD=f(uDs)luGs=C
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    2 转移特性
    i D = f ( u D s ) l u D s = C i_D=f(u_Ds)lu_Ds=C iD=f(uDs)luDs=C
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    u G s < U G s t h u_Gs<U_Gsth uGs<UGsth时, i D = 0 i_D=0 iD=0
    u G s ≥ U G s t h u_Gs≥U_Gsth uGsUGsth时,
    i D i_D iD u G s u_Gs uGs呈平方律关系

(1)恒流区
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后面的等效中, R D = U A i D R_D=\frac{U_A}{i_D} RD=iDUA
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(2)可变电阻区
当预夹断之前可将场效应管看成电阻
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N沟道耗尽型MOS管
耗尽型MOS管和增强的区别就在于起始状态不同,耗尽型在外加电压前就有导电沟道
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除了起始状态有些微区别,其他差别不是很大。

各类场效管对比、参数、晶体管和场效应管性能对比

符号

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输出特性

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转移特性

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场效应管主要参数

一、支流参数

  1. 结型场效管和耗尽型MOSFET
    (1)饱和漏电流 I s s I_ss Iss
    (2)夹断电压 U G s o f f U_Gsoff UGsoff
  2. 增强型MOSFET
    开启电压 U G s t h U_Gsth UGsth
  3. 输入电阻 R G s R_Gs RGs
    结型场效应管, R G s R_Gs RGs在108~1012Ω之间
    MOS管, R G s R_Gs RGs在1010~1010Ω之间
    通常认为 R G s ➡ ∞ R_Gs➡∞ RGs

二、交流参数
1 跨导 g m g_m gm,跨导在恒流区,反映栅源电压对漏极电流控制能力的参数。
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2 输出电阻
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三、极限参数
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