Nand Flash控制器

回忆一下,一上电以后,Nand Flash的前面4K就会被拷贝到2440的片内存里面。
在前面几个程序,编译出来的程序都小于4K;如果我们编译出来的程序大于了4K,这时候Nand Flash的前面4K拷贝到2440的片内存里面,拷贝到2440里面的这4K的任务就是将更大的程序从Nand Flash里面读出来放到SDRAM里面去。

这里写图片描述

地址空间:

Nand Flash只有数据线,地址总线并没有跟CPU相连。

至少这里的寻址方法有两种:
1),SDRAM、DM9000(网卡)的地址总线接到2440上面的地址总线。
2),Nand Flash没有地址总线

显然至少可以得到一个结论:DM9000、Nand Flash的寻址方式不一样。

SDRAM、DM9000接在2440上的,与2440地址总线相连的,它们用的地址是CPU发出来的,即CPU统一编址,这些对CPU是可见的。

与2440 CPU连接的Nand Flash,Nand Flash也有自己的寻址空间。

片内内存,SDARM,网卡,寄存器,这些都有一个地址,这些地址都是由CPU统一编址的。当我们说片内内存的0地址指的是相对于CPU角度0地址

由于寻址方式的不同,Nand Flash的0地址与片内内存的0地址不是同一个概念。

这里写图片描述

Nand怎么寻址,怎么编址?

Nand Flash与通过数据线与CPU相连,如图:

这里写图片描述

LDATA0 - 7 线上是传的数据还是地址,是通过控制线来区分的。

Nand Flash典型结构:

每一页由2048字节和一个64字节的区域(OOB)。
若干页组成一块,具体多少页组成一块,可以看一下手册。

64页组成一块。

Nand的编址:
64字节在大多数场合是不参与编址的。比如,要读取Nand上的2049这个地址的数据。读2048这个地址的时候,并不是读取oob空间,而是读取第二页的第二个地址处。

但如果对于特定于某一页来说,要去读取2049这个地址的数据,这时候很可能说的就是oob。

这里写图片描述

Nand的命令:

怎么访问Nand Flash?

先看一下怎么访问内存?发出地址、传输数据。

对于Nand Flash的访问来说,同样来说也有地址、数据。但对于内存来说有读、写命令。同样对于Nand Flash来说也有读、写、复位、擦除等命令。

对于上述命令来说,是通过控制引脚的状态来说实现的,如:
这里写图片描述

这些引脚的驱动是通过相应的寄存器来控制的,只要我们往对应寄存器写入相应的数据即可,2440会自动驱动这些引脚工作。

先总结一下:
从硬件来说,访问Nand Flash要做哪些事情?
1,发出命令 ; CLE引脚 、 Data bus
2, Addr : ALE 、 Data bus
3,传输数据

从2440来说,把上述给精简了,如果我们要发命令,只要向NFCCMMD寄存器写入数据;如果我们想发地址,就向NFAADDR寄存器定入数据;如果想传输数据,就向NFDATA寄存器写入数据;另外,比如擦除,擦除肯定需要时间,怎么知道什么时候擦除成功了,我们可以通过读取NFSTAT寄存器来获取。

这里写图片描述

看一下具体的源码。

当我们想了解一个程序的时候,首先看makefile文件,makefile文件代码如下:

objs := head.o init.o nand.o main.o

nand.bin : $(objs)
    arm-linux-ld -Tnand.lds -o nand_elf $^
    arm-linux-objcopy -O binary -S nand_elf $@
    arm-linux-objdump -D -m arm  nand_elf > nand.dis

%.o:%.c
    arm-linux-gcc -Wall -c -O2 -o $@ $<

%.o:%.S
    arm-linux-gcc -Wall -c -O2 -o $@ $<

clean:
    rm -f  nand.dis nand.bin nand_elf *.o

从makefile文件中的“objs := head.o init.o nand.o main.o”可以看出该程序由4个文件组成。
从“ -Tnand.lds”中可以看出有一个名为nand.lds的链接脚本。

nand.lds脚本的内容如下:

SECTIONS { 
  firtst    0x00000000 : { head.o init.o nand.o}
  second    0x30000000 : AT(4096) { main.o }
} 

从链接脚本可以看出,把程序分成了2段;第一段的链接地址为0x00000000;在4096地址这个地方开始放第二段,第二段的链接地址为0x30000000;注意地址4096与链接地址不是同一个概念。示意图如下:

这里写图片描述

完整的流程图如下:

这里写图片描述

然后看一下head.s 文件,代码如下:

@******************************************************************************
@ File:head.s
@ 功能:设置SDRAM,将程序复制到SDRAM,然后跳到SDRAM继续执行
@******************************************************************************       

.text
.global _start
_start:
                                            @函数disable_watch_dog, memsetup, init_nand, nand_read_ll在init.c中定义
            ldr     sp, =4096               @设置堆栈 
            bl      disable_watch_dog       @关WATCH DOG
            bl      memsetup                @初始化SDRAM
            bl      nand_init               @初始化NAND Flash

                                            @将NAND Flash中地址4096开始的1024字节代码(main.c编译得到)复制到SDRAM中
                                            @nand_read_ll函数需要3个参数:
            ldr     r0,     =0x30000000     @1. 目标地址=0x30000000,这是SDRAM的起始地址
            mov     r1,     #4096           @2.  源地址   = 4096,连接的时候,main.c中的代码都存在NAND Flash地址4096开始处
            mov     r2,     #2048           @3.  复制长度= 2048(bytes),对于本实验的main.c,这是足够了
            bl      nand_read               @调用C函数nand_read

            ldr     sp, =0x34000000         @设置栈
            ldr     lr, =halt_loop          @设置返回地址
            ldr     pc, =main               @b指令和bl指令只能前后跳转32M的范围,所以这里使用向pc赋值的方法进行跳转
halt_loop:
            b       halt_loop

其中 “bl nand_init ”表示初始化内存,其中nand_init 是一个C语言函数,代码位于nand.c中,nand.c的代码如下:



#define LARGER_NAND_PAGE

#define GSTATUS1        (*(volatile unsigned int *)0x560000B0)
#define BUSY            1

#define NAND_SECTOR_SIZE    512
#define NAND_BLOCK_MASK     (NAND_SECTOR_SIZE - 1)

#define NAND_SECTOR_SIZE_LP    2048
#define NAND_BLOCK_MASK_LP     (NAND_SECTOR_SIZE_LP - 1)

typedef unsigned int S3C24X0_REG32;


/* NAND FLASH (see S3C2410 manual chapter 6) */
typedef struct {
    S3C24X0_REG32   NFCONF;
    S3C24X0_REG32   NFCMD;
    S3C24X0_REG32   NFADDR;
    S3C24X0_REG32   NFDATA;
    S3C24X0_REG32   NFSTAT;
    S3C24X0_REG32   NFECC;
} S3C2410_NAND;

/* NAND FLASH (see S3C2440 manual chapter 6, www.100ask.net) */
typedef struct {
    S3C24X0_REG32   NFCONF;
    S3C24X0_REG32   NFCONT;
    S3C24X0_REG32   NFCMD;
    S3C24X0_REG32   NFADDR;
    S3C24X0_REG32   NFDATA;
    S3C24X0_REG32   NFMECCD0;
    S3C24X0_REG32   NFMECCD1;
    S3C24X0_REG32   NFSECCD;
    S3C24X0_REG32   NFSTAT;
    S3C24X0_REG32   NFESTAT0;
    S3C24X0_REG32   NFESTAT1;
    S3C24X0_REG32   NFMECC0;
    S3C24X0_REG32   NFMECC1;
    S3C24X0_REG32   NFSECC;
    S3C24X0_REG32   NFSBLK;
    S3C24X0_REG32   NFEBLK;
} S3C2440_NAND;


typedef struct {
    void (*nand_reset)(void);
    void (*wait_idle)(void);
    void (*nand_select_chip)(void);
    void (*nand_deselect_chip)(void);
    void (*write_cmd)(int cmd);
    void (*write_addr)(unsigned int addr);
    unsigned char (*read_data)(void);
}t_nand_chip;

static S3C2410_NAND * s3c2410nand = (S3C2410_NAND *)0x4e000000;
static S3C2440_NAND * s3c2440nand = (S3C2440_NAND *)0x4e000000;

static t_nand_chip nand_chip;

/* 供外部调用的函数 */
void nand_init(void);
void nand_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size);

/* NAND Flash操作的总入口, 它们将调用S3C2410或S3C2440的相应函数 */
static void nand_reset(void);
static void wait_idle(void);
static void nand_select_chip(void);
static void nand_deselect_chip(void);
static void write_cmd(int cmd);
static void write_addr(unsigned int addr);
static unsigned char read_data(void);

/* S3C2410的NAND Flash处理函数 */
static void s3c2410_nand_reset(void);
static void s3c2410_wait_idle(void);
static void s3c2410_nand_select_chip(void);
static void s3c2410_nand_deselect_chip(void);
static void s3c2410_write_cmd(int cmd);
static void s3c2410_write_addr(unsigned int addr);
static unsigned char s3c2410_read_data();

/* S3C2440的NAND Flash处理函数 */
static void s3c2440_nand_reset(void);
static void s3c2440_wait_idle(void);
static void s3c2440_nand_select_chip(void);
static void s3c2440_nand_deselect_chip(void);
static void s3c2440_write_cmd(int cmd);
static void s3c2440_write_addr(unsigned int addr);
static unsigned char s3c2440_read_data(void);

/* S3C2410的NAND Flash操作函数 */

/* 复位 */
static void s3c2410_nand_reset(void)
{
    s3c2410_nand_select_chip();
    s3c2410_write_cmd(0xff);  // 复位命令
    s3c2410_wait_idle();
    s3c2410_nand_deselect_chip();
}

/* 等待NAND Flash就绪 */
static void s3c2410_wait_idle(void)
{
    int i;
    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFSTAT;
    while(!(*p & BUSY))
        for(i=0; i<10; i++);
}

/* 发出片选信号 */
static void s3c2410_nand_select_chip(void)
{
    int i;
    s3c2410nand->NFCONF &= ~(1<<11);
    for(i=0; i<10; i++);    
}

/* 取消片选信号 */
static void s3c2410_nand_deselect_chip(void)
{
    s3c2410nand->NFCONF |= (1<<11);
}

/* 发出命令 */
static void s3c2410_write_cmd(int cmd)
{
    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFCMD;
    *p = cmd;
}

/* 发出地址 */
static void s3c2410_write_addr(unsigned int addr)
{
    int i;
    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFADDR;

    *p = addr & 0xff;
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = (addr >> 9) & 0xff;
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = (addr >> 17) & 0xff;
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = (addr >> 25) & 0xff;
    for(i=0; i<10; i++);
}

/* 读取数据 */
static unsigned char s3c2410_read_data(void)
{
    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFDATA;
    return *p;
}

/* S3C2440的NAND Flash操作函数 */

/* 复位 */
static void s3c2440_nand_reset(void)
{
    s3c2440_nand_select_chip();
    s3c2440_write_cmd(0xff);  // 复位命令
    s3c2440_wait_idle();
    s3c2440_nand_deselect_chip();
}

/* 等待NAND Flash就绪 */
static void s3c2440_wait_idle(void)
{
    int i;
    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFSTAT;
    while(!(*p & BUSY))
        for(i=0; i<10; i++);
}

/* 发出片选信号 */
static void s3c2440_nand_select_chip(void)
{
    int i;
    s3c2440nand->NFCONT &= ~(1<<1);
    for(i=0; i<10; i++);    
}

/* 取消片选信号 */
static void s3c2440_nand_deselect_chip(void)
{
    s3c2440nand->NFCONT |= (1<<1);
}

/* 发出命令 */
static void s3c2440_write_cmd(int cmd)
{
    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFCMD;
    *p = cmd;
}

/* 发出地址 */
static void s3c2440_write_addr(unsigned int addr)
{
    int i;
    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFADDR;

    *p = addr & 0xff;
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = (addr >> 9) & 0xff;
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = (addr >> 17) & 0xff;
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = (addr >> 25) & 0xff;
    for(i=0; i<10; i++);
}


static void s3c2440_write_addr_lp(unsigned int addr)
{
    int i;
    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFADDR;
    int col, page;

    col = addr & NAND_BLOCK_MASK_LP;
    page = addr / NAND_SECTOR_SIZE_LP;

    *p = col & 0xff;            /* Column Address A0~A7 */
    for(i=0; i<10; i++);        
    *p = (col >> 8) & 0x0f;     /* Column Address A8~A11 */
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = page & 0xff;           /* Row Address A12~A19 */
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = (page >> 8) & 0xff;    /* Row Address A20~A27 */
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = (page >> 16) & 0x03;   /* Row Address A28~A29 */
    for(i=0; i<10; i++);
}


/* 读取数据 */
static unsigned char s3c2440_read_data(void)
{
    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFDATA;
    return *p;
}


/* 在第一次使用NAND Flash前,复位一下NAND Flash */
static void nand_reset(void)
{
    nand_chip.nand_reset();
}

static void wait_idle(void)
{
    nand_chip.wait_idle();
}

static void nand_select_chip(void)
{
    int i;
    nand_chip.nand_select_chip();
    for(i=0; i<10; i++);
}

static void nand_deselect_chip(void)
{
    nand_chip.nand_deselect_chip();
}

static void write_cmd(int cmd)
{
    nand_chip.write_cmd(cmd);
}
static void write_addr(unsigned int addr)
{
    nand_chip.write_addr(addr);
}

static unsigned char read_data(void)
{
    return nand_chip.read_data();
}


/* 初始化NAND Flash */
void nand_init(void)
{
#define TACLS   0
#define TWRPH0  3
#define TWRPH1  0

    /* 判断是S3C2410还是S3C2440 */
    if ((GSTATUS1 == 0x32410000) || (GSTATUS1 == 0x32410002))
    {
        nand_chip.nand_reset         = s3c2410_nand_reset;
        nand_chip.wait_idle          = s3c2410_wait_idle;
        nand_chip.nand_select_chip   = s3c2410_nand_select_chip;
        nand_chip.nand_deselect_chip = s3c2410_nand_deselect_chip;
        nand_chip.write_cmd          = s3c2410_write_cmd;
        nand_chip.write_addr         = s3c2410_write_addr;
        nand_chip.read_data          = s3c2410_read_data;

        /* 使能NAND Flash控制器, 初始化ECC, 禁止片选, 设置时序 */
        s3c2410nand->NFCONF = (1<<15)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);
    }
    else
    {
        nand_chip.nand_reset         = s3c2440_nand_reset;
        nand_chip.wait_idle          = s3c2440_wait_idle;
        nand_chip.nand_select_chip   = s3c2440_nand_select_chip;
        nand_chip.nand_deselect_chip = s3c2440_nand_deselect_chip;
        nand_chip.write_cmd          = s3c2440_write_cmd;
#ifdef LARGER_NAND_PAGE
        nand_chip.write_addr         = s3c2440_write_addr_lp;
#else
        nand_chip.write_addr         = s3c2440_write_addr;
#endif
        nand_chip.read_data          = s3c2440_read_data;

        /* 设置时序 */
        s3c2440nand->NFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4);
        /* 使能NAND Flash控制器, 初始化ECC, 禁止片选 */
        s3c2440nand->NFCONT = (1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
    }

    /* 复位NAND Flash */
    nand_reset();
}


/* 读函数 */
void nand_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)
{
    int i, j;

#ifdef LARGER_NAND_PAGE
    if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK_LP) || (size & NAND_BLOCK_MASK_LP)) {
        return ;    /* 地址或长度不对齐 */
    }
#else
    if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) {
        return ;    /* 地址或长度不对齐 */
    }
#endif  

    /* 选中芯片 */
    nand_select_chip();

    for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) {
      /* 发出READ0命令 */
      write_cmd(0);

      /* Write Address */
      write_addr(i);
#ifdef LARGER_NAND_PAGE
      write_cmd(0x30);      
#endif
      wait_idle();

#ifdef LARGER_NAND_PAGE
      for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE_LP; j++, i++) {
#else
      for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) {
#endif
          *buf = read_data();
          buf++;
      }
    }

    /* 取消片选信号 */
    nand_deselect_chip();

    return ;
}

注意里面的四个寄存器:命令、地址、数据、状态寄存器,这些寄存器需要配合原理图。

比如等待就绪,就得读取状态寄存器(NFSTAT)。

这里写图片描述

初始化完成以后,我们需要将Nand Flash 中的4K后面的代友读取到内存里面去,要做到正确的读取,我们需要确定三个参数:从哪里读取?读到哪里?读多少?
从4096开始读取;将数据读到0x3000,0000位置处;大概读取2K(取决于程序出来的程序大小);

关于这部份读取的代码在head.S文件中如下:

                                            @将NAND Flash中地址4096开始的1024字节代码(main.c编译得到)复制到SDRAM中
                                            @nand_read_ll函数需要3个参数:
            ldr     r0,     =0x30000000     @1. 目标地址=0x30000000,这是SDRAM的起始地址
            mov     r1,     #4096           @2.  源地址   = 4096,连接的时候,main.c中的代码都存在NAND Flash地址4096开始处
            mov     r2,     #2048           @3.  复制长度= 2048(bytes),对于本实验的main.c,这是足够了
            bl      nand_read               @调用C函数nand_read

其中 “bl nand_read ”中的nand_read,是一个C语言函数,调用它的时候传了三个参数,分别是r0,r1,r2;nand_read位于nand.c中,它的函数代码如下:


/* 读函数 */
void nand_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)
{
    int i, j;

#ifdef LARGER_NAND_PAGE
    if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK_LP) || (size & NAND_BLOCK_MASK_LP)) {
        return ;    /* 地址或长度不对齐 */
    }
#else
    if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) {
        return ;    /* 地址或长度不对齐 */
    }
#endif  

    /* 选中芯片 */
    nand_select_chip();

    for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) {
      /* 发出READ0命令 */
      write_cmd(0);

      /* Write Address */
      write_addr(i);
#ifdef LARGER_NAND_PAGE
      write_cmd(0x30);      
#endif
      wait_idle();

#ifdef LARGER_NAND_PAGE
      for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE_LP; j++, i++) {
#else
      for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) {
#endif
          *buf = read_data();
          buf++;
      }
    }

    /* 取消片选信号 */
    nand_deselect_chip();

    return ;
}

在nand_read中,先选中芯片,选中就是让NFCONT寄存器的 bit1 = 0即可。选中芯片以后,然后发出读命令,发出地址, …..;
要注意芯片手册关于寄存器的描述、读取功能的描述;

在我们发送地址(具体的值为4096)的时候,这个地址怎么发送给Nand Flash? 是通过NFAddr寄存器发送的,但是这个寄存器只有八位,最大只能发256。 所以我们就得连续发出好几次才能实现,发送的格式如下:
这里写图片描述

从图中可以看出,需要连续发出5次;第一个Cycle发送 A0-A7,…;
发送原理如下:
这里写图片描述

发地址的C语言代码如下:

/* 其中addr为4096,*/
static void s3c2440_write_addr_lp(unsigned int addr)
{
    int i;
    volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFADDR;
    int col, page;

    col = addr & NAND_BLOCK_MASK_LP;//NAND_BLOCK_MASK_LP  = 2047
    page = addr / NAND_SECTOR_SIZE_LP; //NAND_SECTOR_SIZE_LP = 2048

    *p = col & 0xff;            /* Column Address A0~A7 */
    for(i=0; i<10; i++);        
    *p = (col >> 8) & 0x0f;     /* Column Address A8~A11 */
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = page & 0xff;           /* Row Address A12~A19 */
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = (page >> 8) & 0xff;    /* Row Address A20~A27 */
    for(i=0; i<10; i++);
    *p = (page >> 16) & 0x03;   /* Row Address A28~A29 */
    for(i=0; i<10; i++);
}

发送地址的具体算法如图:
这里写图片描述

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