探索单晶硅的热膨胀系数（CTE）

精确测量和控制单晶硅的热膨胀系数（CTE）对保障器件性能和稳定性极为关键。在半导体制造中，单晶硅作为基底材料，其CTE必须与覆盖其上的晶体薄膜相匹配，以防止温度波动引起的应力变形，影响器件效能。对于MEMS器件而言，单晶硅作为主要结构材料，其CTE同样对保持器件尺寸和性能的稳定性起到决定性作用。
新拓三维的XTDIC-MICRO显微应变测量系统，兼容光学冷热台，能在-190℃至600℃范围内进行测试，适用于微观层面的材料力学性能测试，以及芯片和半导体材料的热膨胀系数、翘曲、位移和应变等参数的精确测量与分析，具备高精度和紧凑体积的优势。

显微DIC技术用于膨胀参数CTE测定

单晶硅的热膨胀系数（CTE）会随温度变化而变化。在实际应用中，必须根据具体的工作温度选择合适的单晶硅，并进行精确的CTE测试和控制。

为了测量单晶硅的CTE，我们使用XTDIC-MICRO显微应变测量系统，并结合数控温度控制的光学冷热台，以实现在高温条件下对单晶硅进行非接触式的膨胀参数测定。

1.1

测试目的

采用显微DIC光学应变测量系统，在不同温度环境下评估单晶硅CTE系数，并记录测试过程以及测试结果，相关的试验数据可用于验证解析模型的正确性。

单晶硅试样表面制作散斑

1.2

测试精确度验证

实验开始前，使用晶体硅试样，对显微DIC测量系统设备准确度分析，已知单晶硅CTE值为：2.62×10^(－6)／℃（引自《集成电路入门》，P.13），以此进行DIC显微测量准确度确认。

新拓三维显微DIC测量系统测得数据精度较高，初始状态对比数据：

X 向平均分布：2.75E-06~2.94E-06；Y 向平均分布：2.65E-06~2.88E-06

单晶硅CTE测量实验过程

试验前，先将单晶硅测试样品进行单次热处理，以消除产品试样内应力影响。

热处理条件：分别在光学冷热系统将单晶硅试样温度降至20°C（液氮降温），然后提升至50°C、75℃、100℃、125℃，中间保持2-5min，温度保持完成后，DIC显微测量系统分别以1Hz采集速率采集10张图片。

X，Y分别9条等距；边缘留100um，方向：圆形Mark点向右，计算并记录X，

Y 方向不同位置的CTE，（温度达到 125℃，稳定2min，取10数据点的平均值）；

采用DIC软件分析采集的图像，可获取X、Y方向不同位置的CTE。热胀系数CTE，通常采用线性膨胀系数衡量，定义为：单位温度改变下长度的增加量与原长度的比值，如Z-CTEZ+。CTE值越低，尺寸稳定性越好，反之越差。

1.1

CTE分析：X向数据分析

数据分析分为两种计算方案，一种为与前状态数据进行对比，分析CTE。一种是各状态与初始状态进行对比，分析CTE。

X 方向（横向）

光学显微DIC冷热系统测试结果

与上一状态对比分析CTE

         75℃~100℃：3.12E-06

与初始状态对比分析CTE

      20℃~50℃：2.75E-06

       50℃~75℃：2.76E-06

1.2

Y方向数据分析

数据分析分为两种计算方案，一种为与前状态数据进行对比，分析 CTE。一种是各状态与初始状态进行对比，分析 CTE。

Y 方向（横向）

光学显微DIC冷热系统测试结果

与上一状态对比分析CTE

75℃~100℃：3.04E-06

与初始状态对比分析CTE

显微DIC测量系统实测软件界面：

变量与温度/应变的关系图：

说明：此段由于中间删除 10 张照片导致缺失部分照片，从而坡度较大

单晶硅试样在25°，50°，100°，125℃温度下的应变分布图

单晶硅的热膨胀系数是一个非常重要的参数，其大小余晶体的结构密切相关。在生产制造和科研应用中，需充分了解单晶硅的热膨胀性质，以便在实际操作中减少由于热膨胀导致的变形和损坏。

采用新拓三维XTDIC-MICRO显微应变测量系统，结合光学冷热台，在高低温环境下对单晶硅进行热膨胀CTE测试，DIC软件分析输出X、Y方向不同位置的CTE，分析单位温度改变下长度的增加量与原长度的比值，为分析单晶硅热膨胀系数提供可靠的数据。