硬件学习笔记--59 EEPROM、NOR Flash 、NandFlash基础知识介绍

EEPROM、NOR Flash和 NAND Flash 都是非易失性存储器（断电后数据不丢失），但它们在结构、性能和应用场景上有显著区别。

1. EEPROM 

1.1 特点：

1）字节级擦写：可以按字节擦除和编程，灵活性高。

2）寿命：擦写次数约 10万~100万次，比Flash高。

3）速度：读写速度较慢（毫秒级），尤其是写入和擦除。

4）容量：通常较小（几KB到几MB），成本较高。

1.2应用场景：

存储小量需频繁更新的数据（如设备配置参数、校准数据）。替代早期需要紫外线擦除的EPROM。

2. NOR Flash

2.1 特点：

1）执行代码（XIP）：支持芯片内执行（eXecute In Place），CPU可直接从NOR读取指令。

2）随机访问：类似RAM，可快速随机读取任意地址数据。

3）擦写单位：需按块（Block）擦除（通常64~128KB），但可按字节/字编程。

4）寿命：擦写次数约 1万~10万次。

5）容量：较小（几MB到几百MB），成本高于NAND。

2.2 应用场景：

存储启动代码（如BIOS、Bootloader）、嵌入式系统固件。需快速随机读取且代码直接执行的场景。

3. NAND Flash

3.1  特点：

1）高密度低成本：存储单元密度高，容量大（GB到TB级），价格低。

2）读写方式：页（Page）读写（通常4KB~16KB）和块擦除（几百KB）。

3）速度：连续读写快，但随机访问慢，需通过缓存操作。

4）寿命：擦写次数约 1千~10万次（SLC > MLC > TLC > QLC）。

5）可靠性：需ECC纠错和坏块管理（Flash控制器处理）。

3.2 应用场景：

大容量数据存储（如SSD、U盘、SD卡、手机存储）。流式数据读写（如视频、图片）。

4.关键区别总结

特性	EEPROM	NOR Flash	NAND Flash
擦写粒度	字节级	块擦除，字节编程	页读写，块擦除
随机访问	支持	极快	慢（需缓存）
XIP支持	不支持	支持	不支持
容量	几KB~几MB	几MB~几百MB	几GB~几TB
寿命	10万~100万次	1万~10万次	1千~10万次
成本/bit	最高	中等	最低
典型应用	配置参数、小数据	启动代码、固件	大容量存储