毕设分享|基于51单片机IGBT三相逆变电源的设计

因为逆变器需要输出波形，而且要求是高质量的。因此要想保证逆变器的质量问题，这就需要有两方面的考虑，分为稳态精度和动态性能这两种。而因为在研究时，需要观察到优良动、静态性能，所以要制定出的方案，不仅仅是结构和控制简单，还要有优良的性能。因为这种特殊性，所以一直在被关注并研究。

第一章 逆变电路的基本原理

1.1 IGBT管的基本原理与特性

IGBT由于其出色的性能，成为众多应用厂商的首选,IGBT综合了MOS管和GTR的优点，IGBT也可以叫做绝缘栅双极型晶体管，这种器件有着多个优势，其中就包括开关速度快，因为当GTR饱和时，就会出现压降低，载流密度大等现象，这就会导致驱动电流大;而MOSFET不同，表现在驱动功率很小，但是当导通压降大时，会有载流密度小的现象。所以IGBT以两种器件为基础，集合它们的优点，组成现在的IGBT。因为这项新的晶体管的出现，得到广泛的推广，并应用到各方面，所需要的领域都能看到它的身影，例如交流电机、开关电源、牵引传动等。

其特性如下：

1.开关速度快，且损耗小；

2.通态压降低，尤其针对高压工况；

3 驱动功率小；

4.抗电流冲击能力强；

5.输入阻抗更高

2.1.1 IGBT的工作原理

1.IGBT的结构

工作时的等效电路如图2.1所示，当栅极电压小于开路电压时，施加反向电压或无电压，使断开。反之则