【电路】电路与电子技术基础 课堂笔记 第6章 半导体器件的基本特性

6.1 半导体基础知识

按导电性能可以将物质分为导体、绝缘体和半导体，半导体又可以分为本征半导体和杂质半导体。

6.1.1 本征半导体

完全纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体。

常用的半导体材料有硅和锗，它们都是四价元素，原子最外层轨道有四个价电子。

 若将纯净的半导体制成晶体，则原子形成排列整齐的点阵。

点阵是由共价键提供的结合力实现的，共价键的结合力很强，可以将大部分电子固定在点阵中；

但即使是在常温下，也会有少数电子由于热运动获得足够的能量，摆脱了共价键的束缚，成为自由电子；

于是点阵中就会留下空位，也就是原来共价键存在的地方，称之为空穴，带正电荷。

 若此时对半导体施加电场，自由电子就会定向移动，形成电子电流；

同时，价电子会按一定方向依次填补空穴，可视为空穴定向移动，形成空穴电流。

之后我们将提到的载流子就是这里定向移动的粒子，一种是带负电的自由电子，另一种则是带正电的空穴。

在半导体内，自由电子和空穴都是成对产生，其浓度相等。

以上过程可以概括成一句话：价电子获得能量成为自由电子，产生电子 - 空穴对

 在这个过程中，也会有复合现象，就是自由电子在运动过程中与空穴相遇，使电子 - 空穴对消失。

在一定温度下，载流子的产生和复合过程平衡，使得载流子的浓度维持不变。

6.1.2 杂质半导体

本征半导体中载流子的浓度很低，导电能力很弱；

通过扩散工艺，人为地掺入少量的特定杂质，其导电性能将产生质的变化；

掺入杂质的半导体称为杂质半导体。

N型半导体

本征半导体中掺入5价元素，多出的电子无共价键约束，只有自身原子核约束，得到少量能量就可成为自由电子。这样的杂质半导体中，自由电子的浓度远远大于空穴浓度。

这样的半导体，导电主要靠自由电子，称为N型半导体。

在N型半导体中，自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。

 P型半导体

本征半导体中掺入3价元素，与周围的4价原子组成共价键时，缺少电子的地方形成一个空穴。其他共价键的电子只需较小的能量就可以摆脱束缚移到此空穴，从而形成新的空穴。在这样的杂质半导体中，空穴浓度远远大于自由电子的浓度。

这样的半导体，导电主要靠空穴，称为P型半导体。

在P型半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。

6.2  PN结及半导体二极管

在一块本征半导体上，用人工使一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，两种半导体的交界处形成一个 P - N 结。

P-N结是所有半导体器件的基础。

6.2.1 异形半导体的接触现象

在两种半导体的交界面两侧，电子和空穴的浓度相差悬殊，就会产生扩散运动，P区的空穴向N区移动，N区的自由电子向P区移动，这样就形成了方向为从P到N的电流；

 扩散运动使交界处形成电场（称为自建场），在这个电场的作用下，少数载流子做漂移运动，其运动方向与扩散运动方向相反，阻止扩散运动。

扩散越多，自建场越强，漂移运动越强，对扩散的阻力越大；

当两种运动作用相等时达到平衡，此时通过界面的净载流子数为0；

交界处形成一个缺少载流子的高阻区，称为阻挡层（或耗尽层）。

 6.2.2 PN结的单向导电特性

1. PN结外加正向电压

将电源的正极接P区，负极接N区，称为正向接法或正向偏置，简称正偏。

PN结正偏时，外加电压在阻挡层内形成的电场与自建场方向相反，削弱了自建场，使阻挡层变窄；

此时扩散作用大于漂移作用，多数载流子向对方区域扩散形成电流，方向由电源的正极通过P区、N区，到电源的负极。

 2. PN结外加反向电压

电源正极接N区，负极接P区，称为反向接法或反向偏置，简称反偏。

 PN结反偏时，外加电压在阻挡层内形成的电场与自建场方向相同，增强了自建场，使阻挡层变宽；

此时漂移作用大于扩散作用，少数载流子在电场的作用下做漂移运动，形成漂移电流，称为反向电流，反向电流很小。

反向电压超过零点几伏时，反向电流就几乎不再随反向电压的增加而增加了，此时反向电流称为反向饱和电流。

 PN结的单向导电特性：

• 正偏：有较大的正向电流，PN结呈现较小的正向电阻；
• 反偏：反向电流较小，PN结呈现很大的反向电阻。

3. PN结的电流方程

PN结的伏安特性曲线：

 反向电压超过一定数值时，反向电流会突然急剧增加，称为反向击穿；

限制反向击穿电流，PN结即可恢复正常；

稳压二极管工作在反向击穿区，流过PN结的反向击穿电流变化时，反向击穿电压基本不变。

5. PN结的电容效应

势垒电容：PN结外加反向电压变化时，耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb；

扩散电容：PN结外加正向电压时，电容效应称为扩散电容Cd。

6.2.3 半导体二极管

将PN结用外壳封装起来，加上电极引线，就构成半导体二极管。

P区引出的电极为阳极，N区引出的电极为阴极。

 1. 二极管的结构

二极管按材料可分为硅二极管和锗二极管。

按结构和工艺分，可分为点接触型、面接触型和平面型。

 2. 二极管的伏安特性

二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似；

有点不一样是因为，二极管有半导体体电阻和引线电阻，当正向电压大于某一值时，正向电流才从零随电压按指数规律增大。使得二极管开始导通的临界电压称为开启电压Uon。

 3. 特殊二极管

稳压二极管

• 工作在PN结的反向击穿区，电源正极接N，负极接P；
• 二极管电流大范围变化，但电压变化很小；
• 稳压管必须与负载并联，且在稳压电路中必须有限流措施。

 

变容二极管

利用PN结的电容效应制造的。

光电二极管

利用对光敏感的半导体制成，光照强度的变化会引起反向电流的变化，反向电流的大小表明了外界光的强弱。

发光二极管

某些材料有电流流过时会发出不同波长的光。

6.2.4 半导体二极管的应用

1. 单相半波整流

正偏时导通，忽略正偏电压，相当于开关闭合；再进一步，可把二极管去掉；

反偏时截止，电流近似为零，相当于开关断开。

6.3 半导体晶体管

双极型晶体管又称为半导体三极管或晶体管，简称晶体管，有三个电极。

 6.3.1 晶体管的结构及类型

采用不同的掺杂方式，在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，形成两个PN结，构成晶体管。

 6.3.2 晶体管的放大作用

晶体管中，发射区重掺杂（自由电子较多，利于发射），基区低掺杂且很薄，集电区面积很大（利于收集载流子）。

发射结正向偏置，集电结反向偏置。

1. 载流子传输过程

 2. 电流分配

 

 重点掌握参数α和β即可。

6.3.3 晶体管的特性曲线

晶体管外部极间电压与电流的相互关系称为晶体管的特性曲线。

主要掌握NPN晶体管共发射极的输入特性和输出特性。

1. 输入特性

 

 2. 输出特性

 

 输入特性和输出特性也是重点！

题型1：给定三极电位，判断是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型

判断硅管/锗管：硅管的结电压降一般为0.6~0.8V，锗管的结电压降一般为0.1~0.3V，看给出的三个电位里，相近的两个的差值即可；

判断NPN/PNP：对于NPN型晶体管，基极电位高于发射极电位，而集电极电位高于基极电位。对于PNP型晶体管，发射极电位高于基极电位，基极电位高于集电极电位。

NPN：C>B>E

PNP：E>B>C

当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大。