半导体集成电路主要區分為擴散(Diffusion)、制版（照相）（黃光）(Photo)、蝕刻(Etch)和制薄(Thin-film). IMP(離 子 植 入) 五大工序，五個工序的製程特性與使用的製

一：半导体扩散测温特点

A：半导体集成电路扩散制程中，溫度對生產良率占有極高比重，尤其在前段擴散製程。 溫度對擴散係數與擴散速率具有最決定性的影響,擴散及離子植入是用來控制半導體中雜質量的關鍵程序。因此对热电偶的精度要求极高。

B：半导体集成电路生产中，悬浮微粒（灰尘）对半导体生产的良率有极大的影响，存在懸浮微粒(particles)會导致以下三种情况：

    a.導致金屬線縮小會有電子遷移現像

b.在擴散區域會造成電阻增加

c.會造成短路

因此，因此对热电偶的洁净度要求极高。

C：半導體集成电路生产中，每爐產值達1~2百萬RMB甚至更高,所以使用者会要求半導體熱電偶生产厂家提供保固以及赔偿条款。

二：半导体扩散制程用热电偶

A.生產環境要求:半导体热电偶需在洁净室生产。

B.材料: 為降低裝置內汙染至最低狀態 需嚴選材料，包含石英管、SIC管、陶瓷絕緣套管等。另外為降低汙染，陶瓷絕緣套管須使用剛玉材質，同時含鹽量要低，避免产生污染化学物质。

Sic塗層和無塗層比較表