SI2319CDS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

SI2319CDS-T1-GE3 （VB2355）
参数描述：
P沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1Vth(V)；SOT23

型号参数介绍：
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。

应用简介：SI2319CDS-T1-GE3适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。
其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。

优势与适用领域：具有低导通电阻，适用于要求低功率损耗和高效率的领域，如电源开关、稳压和逆变器等模块。