SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)
参数描述:
P沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V);SOT23
型号参数介绍:
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。
应用简介:SI2319CDS-T1-GE3适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。
其低导通电阻有助于降低功率损耗,提高效率。
优势与适用领域:具有低导通电阻,适用于要求低功率损耗和高效率的领域,如电源开关、稳压和逆变器等模块。