IRFR014TRPBF-VB一种N沟道TO252封装MOS管

最新推荐文章于 2024-09-30 21:58:51 发布

微碧VBsemi

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分类专栏： mosfet型号参数解析文章标签：单片机嵌入式硬件 IRFR014TRPBF MOS管 MOSFET

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本文介绍了VBsemi品牌的IRFR014TRPBF-VBN-ChannelMOSFET的详细参数，包括其在中功率、中电压应用中的优势，主要应用领域如电源模块、电机驱动、电动车电池管理和LED照明控制，以及使用时需注意的电压、电流、温度和驱动电压限制。

摘要由CSDN通过智能技术生成

**详细参数说明:**
- **型号：** IRFR014TRPBF-VB
- **丝印：** VBE1695
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** TO252
- **沟道类型：** N-Channel
- **额定电压（Vds）：** 60V
- **额定电流（Id）：** 18A
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 73mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压（Vth）：** 2V

**应用简介:**
适用于中功率、中电压开关应用，是N-Channel MOSFET，具有相对低的导通电阻，可实现有效的功率控制和开关操作。

**主要应用领域和模块:**
1. **电源模块:** 用于中功率开关电源、稳压器等电源模块，提供有效的能量转换。
2. **电机驱动:** 在中功率电机驱动模块中，作为电机的开关元件，实现电机的精确控制。
3. **电动车电池管理:** 适用于电动车电池管理系统，控制电池充放电过程。
4. **LED照明控制:** 在LED照明控制模块中，提供可调光和开关功能。

**作用:**
IRFR014TRPBF-VB作为N-Channel MOSFET，主要用作中功率、中电压的开关，能够在多种应用中提供可靠的功率控制。

**使用注意事项:**
1. **电压等级:** 确保在规定的额定电压范围内使用，避免超过最大额定电压。
2. **电流限制:** 不要超过规定的最大额定电流，以防损坏元件。
3. **温度:** 注意工作温度范围，确保在适当的温度条件下使用。
4. **驱动电压:** 在控制端（Gate）施加适当的驱动电压，以确保可靠的功率控制。
5. **阈值电压范围:** 注意阈值电压范围，确保在规定的范围内实现正常操作。

以上是对IRFR014TRPBF-VB的详细参数、应用和使用注意事项的简要说明。确保按照规格书和数据手册中的指导操作。