2SK2462-VB一种N沟道TO220封装MOS管

**2SK2462-VB**

**丝印：** VBM1101M  
**品牌：** VBsemi  
**参数：** TO220；N—Channel沟道, 100V；18A；RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=2~4V  

**封装：** TO220  

**详细参数说明：**  
- **沟道类型：** N—Channel  
- **最大承受电压：** 100V  
- **最大电流：** 18A  
- **导通电阻：** 127mΩ（在VGS=10V时），127mΩ（在VGS=20V时）  
- **阈值电压：** 2~4V  

**应用简介：**  
该器件为 N—Channel MOSFET，适用于需要控制正向电流的模块，如电源开关和电流调节。

**作用：**  
- 控制正向电流，适用于需要 N—Channel 沟道的应用。
- 在电源开关和电流调节电路中发挥关键作用。

**使用领域模块：**
1. **电源开关模块：** 用于构建可靠的正向电流开关电路，确保电源系统正常运行。
2. **电流调节模块：** 适用于需要 N—Channel 沟道的高电流应用。

**使用注意事项：**
1. **电压和电流限制：** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **温度控制：** 注意器件工作时的温度，避免过热。
3. **阈值电压选择：** 根据应用需求选择适当的阈值电压。

如有需要进一步了解或有其他问题，请告诉我。