SSM3K33R-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

**VBsemi SSM3K33R-VB N-Channel MOSFET**

- **详细参数说明：**
  - 工作电压：30V
  - 连续漏极电流：6.5A
  - 开态电阻 (RDS(ON))：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压 (Vth)：1.2~2.2V

- **封装：** SOT23

- **应用简介：**
  - SSM3K33R-VB是一款N-Channel沟道MOSFET，由VBsemi品牌生产。其设计旨在满足高性能电子应用的需求。
  - 优越的电流和电压特性使其在各种电路中表现卓越。

- **应用领域：**
  1. **电源管理模块：** 适用于电源开关模块，提供高效的电能转换。
  2. **电机驱动：** 在电机控制电路中，可用于实现可靠的电流控制和高效的电机驱动。
  3. **LED照明系统：** 用于LED驱动电路，实现对LED的精确控制和调光。

该MOSFET广泛应用于需要高性能、可靠性和效率的领域，包括电源管理、电机控制和照明系统。