2SK1667-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 产品简介

**型号：2SK1667-VB**

2SK1667-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，封装类型为TO220。该产品采用先进的沟道技术，具备出色的电压和电流性能，适用于高压高功率的应用场合。其主要特点包括250V的漏源电压（VDS），±20V的栅源电压（VGS），以及14A的连续漏极电流（ID）。此外，它具有低导通电阻（RDS(ON)）在高栅源电压下的表现，为190mΩ@VGS=10V。

### 详细参数说明

| 参数          | 值                |
| --------------| ------------------ |
| 型号          | 2SK1667-VB        |
| 封装类型      | TO220             |
| 配置          | 单N沟道           |
| 漏源电压（VDS）| 250V              |
| 栅源电压（VGS）| ±20V              |
| 阈值电压（Vth）| 3.5V              |
| 导通电阻（RDS(ON)）| 190mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流（ID）| 14A              |
| 技术          | 沟道              |

### 应用领域和模块示例

**应用领域：**

1. **电源管理：**
   2SK1667-VB 可以用于高压高功率的电源管理系统中，例如高压DC-DC转换器和AC-DC电源适配器。其高漏源电压能力和低导通电阻确保了电源转换效率和可靠性。

2. **工业电机驱动：**
   在工业电机驱动系统中，该MOSFET可以用于控制和驱动工业电机。其高电流处理能力和稳定性能使其能够满足工业电机高功率输出的要求。

3. **电动车充电器：**
   在电动车充电器中，2SK1667-VB可以用于控制和调节电动车充电器的输出。其高漏源电压和低导通电阻确保了充电器的高效率和稳定性。

**模块示例：**

1. **高压开关模块：**
   2SK1667-VB 可以集成到高压开关模块中，用于切换和控制高压电路。其250V的漏源电压和低导通电阻确保了模块的高效率和低损耗。

2. **电源放大模块：**
   在音频和RF功率放大应用中，该MOSFET可以作为功率放大器的一部分。其高电流处理能力和低导通电阻确保了信号的高保真放大。

3. **高压稳压模块：**
   2SK1667-VB 可以用于设计高压稳压模块，例如用于医疗设备和工业设备中。其稳定的性能和高电流处理能力使其能够满足高压稳压的要求。