FDD5612-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

产品简介：
FDD5612-VB是VBsemi生产的N沟道MOSFET，具有60V的额定电压和45A的额定电流。该器件采用TO252封装，适用于各种功率电子应用。

详细参数说明：
- 额定电压（VDS）：60V
- 额定电流（ID）：45A
- 导通电阻（RDS(ON)）：在VGS=10V时为24mΩ，在VGS=20V时为24mΩ
- 阈值电压（Vth）：1.8V

应用领域和模块：
1. 电源管理模块：FDD5612-VB的高电流和低导通电阻使其非常适用于电源管理模块，例如DC-DC转换器和稳压器。
2. 电机驱动器：由于其高电压和电流特性，该器件可用于驱动各种类型的电机，如直流电机和步进电机。
3. 电池保护模块：在电池管理系统中，FDD5612-VB可以用于电池保护模块，以实现对电池的过充和过放保护。
4. 照明应用：该MOSFET可用于LED驱动器和其他照明应用，以实现高效能的功率控制。

总的来说，FDD5612-VB在功率电子领域的各种应用中都有广泛的适用性，包括电源管理、电机驱动、电池保护和照明应用。