RFP40N10-VB一种N沟道TO220封装MOS管

型号：RFP40N10-VB
丝印：VBM1104N
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：100V
- 额定电流：55A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：36mΩ @ 10V, 38mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：2V
- 封装类型：TO220

应用简介：
RFP40N10-VB是一款N沟道场效应晶体管（FET），具有高电压和高电流特性。它适用于需要高性能电流控制的电子应用。TO220封装适合各种电路设计。

应用领域：
1. 电源开关模块：RFP40N10-VB可用于电源开关电路，如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器，以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. 电机控制：在电机驱动电路和电机控制器中，这款晶体管可用于电机的启停、速度调节和效能提升。

3. 电源因数校正：在电源因数校正电路中，RFP40N10-VB可用于改善电源因数，降低谐波失真。

4. 电路保护：在电路保护器件中，这款N沟道场效应晶体管可用于过电流保护、短路保护和电压保护，确保电路的安全运行。

总之，RFP40N10-VB是一款适用于高电压和高电流电子应用的N沟道场效应晶体管，适用于电源管理、电机控制、电源因数校正和电路保护等领域。其TO220封装使其适用于各种电路设计。