DMN3070SSN-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

本文介绍了DMN3070SSN-VBN-ChannelMOSFET的详细参数,包括30V的额定电压和6.5A的额定电流,以及其在电源模块、电机驱动、照明系统和电源逆变器等领域的应用。选择时需考虑项目需求和电路设计.
摘要由CSDN通过智能技术生成

DMN3070SSN-VB详细参数:
- 类型: N-Channel MOSFET
- 额定电压(V): 30
- 额定电流(A): 6.5
- 导通电阻(RDS(ON)): 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): 1.2~2.2V
- 封装: SOT23

应用简介:
DMN3070SSN-VB适用于需要N-Channel MOSFET的电路,特别适用于以下领域和模块:
1. **电源模块:** 用于电源开关和调节电路。
2. **电机驱动:** 适用于直流电机控制和驱动。
3. **照明系统:** 可用于LED驱动和照明控制。
4. **电源逆变器:** 用于电能转换和逆变应用。

以上是该器件可能的应用领域,具体选择应根据项目需求和电路设计来确定。

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