SI2315BDS-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**SI2315BDS-T1-GE3-VB 详细参数说明:**

- **丝印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装类型：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 额定电压：-30V
  - 额定电流：-5.6A
  - 开态电阻：RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压：Vth = -1V

- **封装：** SOT23

**应用简介:**

SI2315BDS-T1-GE3-VB 是一款 P—Channel MOSFET，采用 SOT23 封装。具有低开态电阻、适用于-30V 额定电压和-5.6A 额定电流的特性。

**可能的应用领域:**

1. **电源模块：** 适用于功率开关电源模块，由于其低电阻和高电压/电流额定值。

2. **电源管理：** 在电池管理系统和电源逆变器中，可实现高效的电源管理。

3. **汽车电子：** 适用于汽车电子系统，如发动机控制单元(ECU)等。

4. **LED 驱动：** 在 LED 照明系统中，可用于调光和开关控制。

请确保在使用前详细阅读产品手册以确保正确的应用和性能。