SI2341DS-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**SI2341DS-T1-GE3-VB 详细参数说明:**

- **丝印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装类型：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 额定电压：-30V
  - 额定电流：-5.6A
  - 开态电阻：RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压：Vth = -1V

- **封装：** SOT23

**应用简介:**

SI2341DS-T1-GE3-VB是一款P—Channel MOSFET，适用于SOT23封装。其主要特性包括低开态电阻、适用于-30V额定电压，以及-5.6A的额定电流，使其在多种应用中表现出色。

**应用领域:**

1. **电源模块：** 由于其低开态电阻和适度的电压/电流额定值，可用于电源模块中的功率开关。

2. **电源管理：** 在电池管理和电源逆变器中，SI2341DS-T1-GE3-VB可以实现高效的电源管理。

3. **汽车电子：** 适用于汽车电子系统中，如发动机控制单元(ECU)等。

4. **LED驱动：** 在LED照明系统中，可用于调光和开关控制。

请注意，确保在使用前详细阅读产品手册以确保正确的应用和性能。