**SI2341DS-T1-GE3-VB 详细参数说明:**
- **丝印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-5.6A
- 开态电阻:RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth = -1V
- **封装:** SOT23
**应用简介:**
SI2341DS-T1-GE3-VB是一款P—Channel MOSFET,适用于SOT23封装。其主要特性包括低开态电阻、适用于-30V额定电压,以及-5.6A的额定电流,使其在多种应用中表现出色。
**应用领域:**
1. **电源模块:** 由于其低开态电阻和适度的电压/电流额定值,可用于电源模块中的功率开关。
2. **电源管理:** 在电池管理和电源逆变器中,SI2341DS-T1-GE3-VB可以实现高效的电源管理。
3. **汽车电子:** 适用于汽车电子系统中,如发动机控制单元(ECU)等。
4. **LED驱动:** 在LED照明系统中,可用于调光和开关控制。
请注意,确保在使用前详细阅读产品手册以确保正确的应用和性能。