### 产品简介
**16N50L-TF3-T-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用TO220F封装,适用于中压高功率应用。16N50L-TF3-T-VB MOSFET采用Plannar技术制造,具有较高的漏源电压和电流承载能力。
### 详细参数说明
- **型号**:16N50L-TF3-T-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **最大漏源电压(VDS)**:550V
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:260mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:18A
- **技术**:Plannar
### 适用领域和模块示例
1. **电源逆变器**:
16N50L-TF3-T-VB适用于中压电源逆变器中的功率开关控制。其较高的漏源电压和电流承载能力,使其能够在中功率应用中提供可靠的性能。
2. **工业电机控制**:
在工业电机控制系统中,16N50L-TF3-T-VB可用于电机驱动器的功率开关控制。其较高的漏源电压和电流承载能力,能够满足工业生产设备的要求。
3. **照明应用**:
该MOSFET适用于LED照明驱动器中的功率开关控制。其高效率和高可靠性,有助于提高LED照明系统的性能和可靠性。
4. **电源管理**:
在电源管理系统中,16N50L-TF3-T-VB可用于高效能DC-DC转换器和逆变器。其低导通电阻和高电流承载能力,能够提高系统的效率和稳定性。
16N50L-TF3-T-VB以其高可靠性和稳定性,适用于多种中压高功率应用场景,是功率控制电路设计的理想选择。