2SJ648-VB一款P-Channel沟道SC75-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、2SJ648-VB 产品简介

2SJ648-VB 是一款单一 P 通道 MOSFET，封装形式为 SC75-3。该型号采用 Trench 技术制造，具有较低的导通电阻和良好的开关特性，适用于低功率电路设计。其最大漏源电压（VDS）为 -20V，最大栅源电压（VGS）为 ±20V，阈值电压（Vth）为 -0.8V，导通电阻（RDS(ON)）在 VGS=4.5V 时为 540mΩ，在 VGS=10V 时为 450mΩ，最大漏极电流（ID）为 -0.4A。

### 二、2SJ648-VB 详细参数说明

- **型号**：2SJ648-VB
- **封装**：SC75-3
- **类型**：单一 P 通道
- **技术**：Trench
- **最大漏源电压 (VDS)**：-20V
- **最大栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：-0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
  - @ VGS=4.5V：540mΩ
  - @ VGS=10V：450mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**：-0.4A
- **导通延迟时间**：< 10ns
- **关断延迟时间**：< 20ns
- **总栅电荷 (Qg)**：6nC
- **栅极-漏极电荷 (Qgd)**：1.5nC
- **漏极-源极电荷 (Qgs)**：4.5nC
- **热阻 (RθJA)**：< 230°C/W
- **工作温度范围**：-55°C 至 150°C

### 三、应用领域和模块实例

#### 便携式设备
由于其低功率特性，2SJ648-VB 在便携式设备中有广泛应用，如智能手机、平板电脑和便携式音频设备中的功率管理和电源开关电路。

#### 消费电子
在消费电子产品中，该 MOSFET 可用于各种电源管理和开关电路，如电视、音响系统和游戏机等。

#### 医疗设备
在医疗设备中，2SJ648-VB 可用于电池管理和低功率开关电路，如便携式医疗设备和医疗监测系统。

#### 工业传感器
在工业传感器中，该型号适用于低功率开关电路，如传感器接口和数据采集系统。

#### 汽车电子
虽然其电流和电压容量较低，但在汽车电子系统中仍可用于一些低功率应用，如车载娱乐系统和车内照明控制。

综上所述，2SJ648-VB 在低功率电路设计中具有广泛的应用前景，是一款适用于多种电子设备和系统的高性能 MOSFET 元件。