### 产品简介
**产品型号:2SK1399-VB**
**封装类型:SOT23-3**
**配置:单一N沟道**
**技术:Trench**
**主要特点:**
- **VDS(漏源电压):** 60V
- **VGS(栅源电压):** ±20V
- **Vth(阈值电压):** 1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 3100mΩ@VGS=4.5V, 2800mΩ@VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 0.3A
2SK1399-VB是一款低压N沟道MOSFET,适用于低功率应用。
### 参数说明
1. **基本参数:**
- **型号:** 2SK1399-VB
- **封装类型:** SOT23-3
- **配置:** 单一N沟道
- **技术:** Trench
2. **电气特性:**
- **漏源电压 (VDS):** 60V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.7V
3. **导通电阻 (RDS(ON)):**
- **@ VGS=4.5V:** 3100mΩ
- **@ VGS=10V:** 2800mΩ
4. **漏极电流 (ID):** 0.3A
5. **其他特性:**
- **最大耗散功率:** 0.625W
- **工作温度范围:** -55°C 至 150°C
### 应用领域和模块
1. **移动设备:**
由于2SK1399-VB具有低压和低功率特性,适用于移动设备中的电源管理电路,如手机、平板电脑等。
2. **低功率电源:**
在需要低功率电源管理的场合,如小型家电、遥控器等,这款MOSFET可用于开关电源和电压调节电路。
3. **信号处理:**
在需要对信号进行处理和调节的场合,这款MOSFET可用于信号开关和调节电路,确保信号的稳定传输和处理。
4. **LED驱动:**
在LED照明系统中的低功率LED驱动器,2SK1399-VB可用于开关电源和LED驱动,提供稳定的电流输出和高效的能量转换。
综上所述,2SK1399-VB是一款适用于低功率应用的低压N沟道MOSFET,可广泛应用于移动设备、低功率电源、信号处理和LED驱动等领域。