### 一、2SK1404-VB产品简介
VBsemi的2SK1404-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造。该器件封装在TO-220F封装中,具备较高的漏源电压和适中的电流处理能力,适用于需要承受较高电压和适中电流的功率管理和开关应用。其特性包括650V的漏源电压(VDS)和±30V的栅源电压(VGS),确保了在各种高压电路中的稳定运行。
### 二、2SK1404-VB详细参数说明
- **型号**: 2SK1404-VB
- **封装类型**: TO-220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术**: Plannar
### 三、应用领域和模块举例
1. **电源管理**: 由于2SK1404-VB具有高漏源电压和适中导通电阻,适用于高压电源管理系统中的开关元件。可以用于电动汽车充电桩、工业电源等领域中的电源管理。
2. **工业控制系统**: 在工业控制系统中,需要高压和适中电流处理能力的开关器件来控制各种工业设备。2SK1404-VB的特性使其成为这类应用的理想选择。
3. **电动汽车充电桩**: 该MOSFET适用于电动汽车充电桩中的功率开关,确保了在高压环境下的稳定运行。其高性能和可靠性使其成为电动汽车充电桩的理想选择。
综上所述,2SK1404-VB适用于需要高压和适中电流处理能力的功率管理和开关应用。其特性使其在电动汽车充电桩、工业控制系统和电源管理等领域中都有着广泛的应用前景。