2SK2260-VB一种N-Channel沟道SOT89封装MOS管

### 2SK2260-VB 产品简介

2SK2260-VB 是一款单N沟道MOSFET，具有100V的漏源电压和4.2A的漏极电流能力。采用SOT89封装，适用于需要中等功率和小尺寸的应用场合。其低导通电阻和低阈值电压使其在各种电源管理和功率控制应用中表现出色。

### 2SK2260-VB 详细参数说明

- **型号**: 2SK2260-VB
- **封装**: SOT89
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 100V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
  - 125mΩ @ VGS = 4.5V
  - 102mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 4.2A

- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理**：
   2SK2260-VB 可用于各种类型的电源管理模块，包括手机充电器和便携式设备。其小尺寸和高性能使其成为这些应用中的理想选择。

2. **LED驱动**：
   在LED驱动器中，这种MOSFET可用于LED的开关控制。其低导通电阻和低阈值电压确保了LED驱动器的高效能和稳定性。

3. **电池保护**：
   在电池管理系统中，2SK2260-VB 可用于电池充放电控制电路。其高电流和低导通电阻使其成为电池管理系统中的理想开关元件。

4. **汽车电子**：
   在汽车电子系统中，这种MOSFET可用于各种控制电路，如照明控制和电池管理。其高可靠性和高性能使其成为汽车电子系统中的关键元件。

这些示例说明了 2SK2260-VB 在各种领域和模块中的广泛应用，其高性能和可靠性使其成为各种中等功率应用的理想选择。