FQT7P06-VB一种P—Channel沟道SOT223封装MOS管

一、产品简介：
FQT7P06-VB是VBsemi生产的P沟道场效应管，具有-60V的漏极-源极电压额定值，能够承受最大-6.5A的电流。其特点包括低导通电阻（RDS(ON)）为58mΩ，在VGS=10V和VGS=20V时。门压阈值（Vth）为-1V至-3V之间。该器件采用SOT223封装，适用于各种应用场合。

二、详细参数说明：
- 最大漏极-源极电压（VDSS）：-60V
- 最大连续漏极电流（ID）：-6.5A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：58mΩ（在VGS=10V时）
- 端口-源极电压（VGS）：±20V
- 门压阈值（Vth）：-1V至-3V

三、适用领域和模块示例：
1. 低压电源模块：由于其负电压额定值和低导通电阻，FQT7P06-VB适用于负压稳压器和负压开关模块，用于提供稳定的负电压输出。
2. 电池保护系统：在便携式电子设备、无线通信设备和电池供电系统中，该器件可用于电池保护和电流控制，确保电池安全运行。
3. 电动车辆充电器：在电动汽车、电动自行车和电动滑板车的充电系统中，FQT7P06-VB可用于充电器的电源开关和电流控制，实现高效率和安全的充电过程。