FDC658AP-VB一种P沟道SOT23-6封装MOS管

型号：FDC658AP-VB
丝印：VB8338
品牌：VBsemi

参数说明：
- P沟道
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-4.8A
- RDS(ON)：49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V
- 门源电压（Vgs）范围：±20V
- 阈值电压（Vth）范围：-1~-3V
- 封装：SOT23-6

应用简介：
FDC658AP-VB是一款P沟道MOSFET，适用于负向电压应用。它具有低通态电阻和适中的电流承受能力，适合多种负向电压电子设备。

应用领域：
1. **电源逆变器**：FDC658AP-VB可用于电源逆变器模块，将负向电压转换为正向电压，适用于太阳能逆变器和电力系统。

2. **电源管理**：在需要负向电压管理的应用中，它可以用于电源开关和电池保护，例如在实验室设备中。

3. **电池充电**：可用于负向电压电池充电电路，控制电池充电和放电。

4. **电源开关**：在负向电压电源开关模块中使用，提供高效率的电源管理。

总之，FDC658AP-VB适用于负向电压应用，包括电源逆变器、电源管理、电池充电和电源开关等领域。