FDD3672-VB一种N沟道TO252封装MOS管

型号：FDD3672-VB
丝印：VBE1104N
品牌：VBsemi
参数：N沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V)；TO252
封装：TO252

详细参数说明：
- 型号：FDD3672-VB
- 丝印：VBE1104N
- 品牌：VBsemi
- 沟道类型：N沟道
- 最大耐压：100V
- 最大电流：40A
- 静态导通电阻：30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V
- 门源极电压：20Vgs (±V)
- 阈值电压：1.8V

应用简介：
这款FDD3672-VB是一款N沟道MOSFET，适用于各种电子模块和应用，特别是在需要高电流开关和低导通电阻的情况下。

应用领域：
这种产品通常用在以下领域的模块上：
1. 电源供应模块：用于电源开关和电流控制。
2. 电机驱动模块：在电机控制中，可以用于快速开关和调节电机速度。
3. 逆变器模块：用于转换直流电到交流电的应用，如太阳能逆变器和电动汽车驱动系统。
4. LED驱动模块：控制LED亮度和色温，实现能效优化。
5. 电子开关模块：在各种开关应用中，如照明开关、电源管理开关等。

这款器件的低导通电阻和高电流承受能力使其在上述领域中具有广泛的应用潜力。