DMN3730U-7-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

本文介绍了VBsemi品牌DMN3730U-7-VB场效应管的详细参数,包括30V额定电压和6.5A额定电流,低30mΩ导通电阻。适用于高电流控制和功率管理,如电源开关和模块应用,但使用前务必遵循数据手册和规格说明。
摘要由CSDN通过智能技术生成

DMN3730U-7-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管,参数如下:

- 封装:SOT23
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- 导通电阻:30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:1.2~2.2V

应用简介:
DMN3730U-7-VB适用于需要N沟道场效应管的电路,特别适用于需要控制较高电流和低导通电阻的场合。常见应用领域包括功率管理、电源开关、电流控制等。

模块应用:
该器件可用于各种电源模块、电流控制模块和功率管理模块,提供高效的电流控制和功率管理能力。

注意:在使用前,请确保按照厂商提供的数据手册和规格说明正确配置和操作该器件。

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