**SI2367DS-T1-GE3-VB 详细参数说明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型号:** SI2367DS-T1-GE3-VB
- **丝印:** VB2355
- **封装:** SOT23
**电气参数:**
- **沟道类型:** P-Channel
- **最大漏电流:** -5.6A
- **漏极-源极电压:** -30V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压(Vth):** -1V
**封装信息:**
- **封装类型:** SOT23
**应用简介:**
SI2367DS-T1-GE3-VB是VBsemi品牌推出的P-Channel沟道功率场效应晶体管,具有卓越的电气性能,适用于多种电子应用场景。
**主要应用领域:**
1. **电源模块:** 适用于电源模块中的功率开关电路,可用于设计紧凑型和高效能的电源解决方案。
2. **电源管理:** 在电源管理领域,可应用于开关稳压器、DC-DC变换器等电源管理电路。
3. **通信设备:** 由于其特性,可在通信设备中作为功率开关元件,用于信号放大和电源调节。
4. **工业控制:** 在工业控制系统中,可用于电机驱动、开关电源以及其他高性能功率控制应用。
**注意:** 在使用前,请仔细阅读相关的数据手册和规格,以确保产品在特定应用中的合适性。