04CN10N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

以下是您请求的信息：

**产品简介：**

VBsemi的04CN10N-VB是一款TO220封装的单N沟道场效应管。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的门-源电压（VGS，±V），3V的阈值电压（Vth），以及在VGS=10V时为5mΩ的导通电阻（RDS(ON)），并且能够承受120A的漏极电流（ID）。该产品采用槽道技术（Trench Technology）制造。

**详细参数说明：**

- 封装：TO220
- 构型：单N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：100V
- VGS（门-源电压）：20V（±V）
- Vth（阈值电压）：3V
- RDS(ON)（导通电阻）：5mΩ @ VGS=10V
- ID（漏极电流）：120A
- 技术：槽道技术（Trench）

**适用领域和模块示例：**

1. **电源模块**：04CN10N-VB可以用作开关电源中的开关管，用于转换和调节电源电压。
2. **电机驱动**：由于其较低的导通电阻和高漏极电流能力，该器件可用于驱动要求较高的直流电机。
3. **照明应用**：在LED驱动电路中，它可以作为电流调节器，提供可靠的功率控制。
4. **电动汽车充电桩**：用于控制充电桩的功率开关和调节。
5. **工业自动化**：可用于控制工业设备和机器人的功率开关。

以上是对04CN10N-VB产品的简介、参数说明和适用领域和模块的说明。