10N50G-TA3-T-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 10N50G-TA3-T-VB 产品简介：

10N50G-TA3-T-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 TO220。该器件具有a 650V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的栅极-源极电压（VGS，最大值），和 3.5V 的阈值电压（Vth）。它采用 SJ_Multi-EPI 技术，具有低导通电阻和可靠性。

### 10N50G-TA3-T-VB 详细参数说明：

- **封装：** TO220
- **通道类型：** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **栅极-源极电压（VGS）：** 30V（±）
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 500mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 9A
- **工艺：** SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块举例：

1. **电源模块：** 适用于开关电源和逆变器模块中的高压开关控制，如电源适配器、UPS 等。
2. **照明应用：** 可用于 LED 驱动器和照明控制器中的高压开关控制，如路灯、工业照明等。
3. **电动工具：** 适用于电动工具中的开关控制，如电动钻、电动锯等。
4. **工业自动化：** 可用于工业自动化系统中的高压开关控制，如工业机器人和自动化生产线。

以上仅为几个示例，10N50G-TA3-T-VB 在其它领域和模块中也可能有广泛的应用。