2SK1166-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**产品型号：2SK1166-VB**

**封装类型：TO3P**

**配置：单一N沟道**

**技术：SJ_Multi-EPI**

**主要特点：**
- **VDS（漏源电压）：** 600V
- **VGS（栅源电压）：** ±30V
- **Vth（阈值电压）：** 3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 380mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 11A

2SK1166-VB是一款高压N沟道MOSFET，适用于中功率应用。

### 参数说明

1. **基本参数：**
   - **型号：** 2SK1166-VB
   - **封装类型：** TO3P
   - **配置：** 单一N沟道
   - **技术：** SJ_Multi-EPI

2. **电气特性：**
   - **漏源电压 (VDS)：** 600V
   - **栅源电压 (VGS)：** ±30V
   - **阈值电压 (Vth)：** 3.5V

3. **导通电阻 (RDS(ON))：**
   - **@ VGS=10V：** 380mΩ

4. **漏极电流 (ID)：** 11A

5. **其他特性：**
   - **最大耗散功率：** 160W
   - **工作温度范围：** -55°C 至 150°C

### 应用领域和模块

1. **电源开关：**
   由于2SK1166-VB具有较高的漏源电压和适中的导通电阻，适用于各种中功率电源开关和变换器中，提供稳定的功率输出。

2. **电动工具：**
   在中功率电动工具中的电机控制电路，能提供高效的电流开关和管理，提高电动工具的性能和寿命。

3. **家用电器：**
   在家用电器的功率控制中，这款MOSFET可用于开关电源和电机控制，确保高效的能量转换和稳定的电流输出。

4. **工业自动化：**
   在工业自动化设备中，2SK1166-VB可用于控制系统中的功率开关，提供高效的电流控制和管理，提高系统的效率和可靠性。

综上所述，2SK1166-VB是一款适用于中功率应用的高压N沟道MOSFET，可广泛应用于电源开关、电动工具、家用电器和工业自动化等领域。