### 产品简介
**产品型号:2SK1534-VB**
**封装类型:TO220**
**配置:单一N沟道**
**技术:SJ_Multi-EPI**
**主要特点:**
- **VDS(漏源电压):** 900V
- **VGS(栅源电压):** ±30V
- **Vth(阈值电压):** 3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 1500mΩ@VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 5A
2SK1534-VB是一款高压N沟道MOSFET,适用于高压和中功率应用。
### 参数说明
1. **基本参数:**
- **型号:** 2SK1534-VB
- **封装类型:** TO220
- **配置:** 单一N沟道
- **技术:** SJ_Multi-EPI
2. **电气特性:**
- **漏源电压 (VDS):** 900V
- **栅源电压 (VGS):** ±30V
- **阈值电压 (Vth):** 3.5V
3. **导通电阻 (RDS(ON)):**
- **@ VGS=10V:** 1500mΩ
4. **漏极电流 (ID):** 5A
5. **其他特性:**
- **最大耗散功率:** 50W
- **工作温度范围:** -55°C 至 150°C
### 应用领域和模块
1. **电源管理:**
由于2SK1534-VB具有高压和中功率特性,适用于电源管理电路中的功率开关和控制,如电源适配器、开关电源等。
2. **工业控制系统:**
在需要高压和中功率的工业控制系统中,这款MOSFET可用于开关电源和功率控制电路,确保工业设备的高效稳定运行。
3. **电动汽车充电桩:**
在电动汽车充电桩中的功率控制电路,这款MOSFET可用于开关电源和功率转换,确保高效的能量转换和稳定的电流输出。
4. **UPS系统:**
在UPS系统中的功率转换和管理电路中,这款MOSFET可用于逆变器和功率优化器,确保系统的高效能量转换和稳定运行。
综上所述,2SK1534-VB是一款适用于高压和中功率应用的高压N沟道MOSFET,可广泛应用于电源管理、工业控制系统、电动汽车充电桩和UPS系统等领域。