DMG8880LK3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

一、产品简介：

DMG8880LK3-VB 是 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。它具有正压 60V、电流 45A 和 RDS(ON) 为 24mΩ@VGS=10V 的特性。门极-源极电压 VGS=20V，阈值电压 Vth=1.8V。

二、详细参数说明：

- 型号: DMG8880LK3-VB
- 品牌: VBsemi
- MOSFET 类型: N-Channel
- 最大正压: 60V
- 最大电流: 45A
- 开启电阻: RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V
- 门极-源极电压: VGS=20V
- 阈值电压: Vth=1.8V
- 封装: TO252

三、应用领域及模块示例：

1. 电源管理系统：DMG8880LK3-VB 适用于开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统中的功率开关和电流控制，例如便携式设备、家用电器和工业自动化设备的电源模块。
2. 电动车控制系统：在电动车的控制系统中，这款 MOSFET 可以用作电机驱动器、电池管理器和充电器的功率开关，实现高效的能量转换和电动车控制。
3. 工业电源系统：在工业设备和机械中，DMG8880LK3-VB 可以用于开关电源、电流控制和电动机启动器，提供高效的能量转换和电路保护。
4. LED 照明应用：由于其低开启电阻和高电流能力，该 MOSFET 适用于 LED 驱动器和照明系统中的功率开关，实现高亮度照明和颜色控制。