VD1013
内置高精度电压检测电路和延迟电路以及内置
MOSFET
,是用于单节锂离子
/
锂聚
合物可再充电电池的保护
IC
。
特点:
VD1013
具备如下特点:
高精度电压检测电路
过充电检测电压 4
.30V
精度
±
50mV
过充电释放电压 4
.15V
精度
±
70mV
过放电检测电压 2.80V
精度
±100
mV
过放电释放电压 3.00V
精度
±100
mV
各延迟时间由内部电路设置
过充电检测延迟时间 典型值
100ms
过放电检测延迟时间 典型值
100ms
放电过流检测延迟时间 典型值
20ms
低耗电流
工作模式 典型值
1.5μA
,(
VDD=3.5V
)
过放电模式 典型值
0.5μA
,(
VDD=2.0V
)
允许向
0V
电池充电。
宽工作温度范围:
-40℃~+85℃
小型封装:
DFN1
x
1-4L
本
IC
适合于对
1
节锂离子
/
锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。