VD1031
内置高精度电压检测电路和延迟电路以及内置
MOSFET
,是用于单节锂离子
/
锂聚合物可
再充电电池的保护
IC
。
VD1031
具备如下特点:
高精度电压检测电路
过充电检测电压 4.30V 精度
±50mV
过充电释放电压 4.15V 精度
±70mV
过放电检测电压 2.40V 精度
±100mV
过放电释放电压 3.00V 精度
±100mV
各延迟时间由内部电路设置
过充电检测延迟时间 典型值
100ms
过放电检测延迟时间 典型值
100ms
放电过流检测延迟时间 典型值
8ms
低耗电流
工作模式 典型值
3.5
μ
A
,(
VDD=3.5V
)
过放电模式 典型值
0.4
μ
A
,(
VDD=2.0V
)
允许向
0V
电池充电。
内置过温保护
导通内阻常态
26m
Ω
,
6.5A
过流保护
三重过放电流检测保护
封装:
SOT23-6L
本
IC
适合于对
1
节锂离子
/
锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。