MK米客方德SD NAND参考设计

一、电路设计

1. 参考电路：

R1~R5 (10K-100 kΩ)是上拉电阻，当SD NAND处于高阻抗模式时，保护CMD和DAT线免受总线浮动。

即使主机使用SD NAND SD模式下的1位模式，主机也应通过上拉电阻上拉所有的DATO-3线。

R6（RCLK）参考0-120 Ω。

其他详细电路应用说明，请参考“SDA协会规范”第6章“SD Memory Card Hardware Interface”。

2、电源VDD（VCC_3V3）建议单独供电，且需要注意提供SD NAND电流供电能力不小于200mA。

3、下图是SD协议规定的上电规范，SD NAND的工作电压范围是2.7V-3.6V：

为了确保芯片能正常上电初始化，电压要在0.5V以下至少1ms；电源上升的时候需要保持电源是稳定的、持续上升的，上升到正常工作电压的时间是0.1ms-35ms；主机关闭电源时，将卡的VDD降至0.5伏以下的最小周期为1ms。在断电期间，DAT, CMD和CLK应断开连接或由主机驱动到逻辑0，以避免工作电流通过信号线引出的情况。

二、Layout 设计说明

1、数据线应尽量保持等长，以减少时序偏差和提高信号的同步性。

2、对于CLK时钟线，尽可能进行包地处理。对于走线阻抗，控制阻抗50欧姆。

3、SD NAND芯片最好靠近主控芯片放置，以减少走线长度和干扰。

4、LGA 9*12.5 封装焊盘分两侧 2*8分布,其中同名网络 layout 时可以连接在一起，方便后续更换物料时兼容 LGA6.0×8mm，LGA6.6×8.0mm封装(如下图)。

5、 layout时GND脚建议采用类似的“十字”或“梅花”型的连接 有利于过炉焊接。防止 GND 脚整体铺铜散热很快导致虚焊假焊现象存在(如下图)。

三、贴片注意事项

1、保存要求：若购买散包装，请务必上线前120℃烘烤8小时。若物料没有全部使用，剩余部分请务必存放于氮气柜或抽真空保存，再次上线前请务必120℃烘烤8小时。

2、贴装顺序：若 PCB 有 A、B 双面要贴片，建议存储器件最后贴装。

3、焊接：LGA/BGA的封装基板是PCB材质，Pad位于底部，相比TSOP、WSON等金属框架封装，在焊接上更有难度，有条件的尽可能选择液体锡膏和加热台，没有加热台的可以用风枪，风枪温度不要超过 350℃。

解焊:尽可能选择加热台，若必须使用风枪，建议风枪温度控制在 350℃，30秒以内。

4、回流焊

SD NAND 回流焊的最高温度若使用无铅焊锡不能超过 260℃(无铅焊锡),若使用无铅焊锡不能超过 235℃，在此峰值温度下，时间不能超过10s.炉温曲线设置可参考 IPC-JEDEC J-STD-020 规定要求:

注：此设计提示适用于以下MK米客方德SD NAND产品系列，MK米客方德SDNAND内置ECC（错误校正码）校验、垃圾回收、坏块管理和磨损平均算法等功能。此外，还具备Smart Function功能，能够动态监测和反馈存储芯片状态信息，如总写入数据量、坏块数、使用寿命等。广泛应用于工业、车载、医疗、电力、储能、充电桩、智能穿戴等领域。