半导体器件基础08:MOS管结构和原理(1)

文章介绍了MOS管,即金属-氧化物-半导体场效应晶体管的起源、工作原理和不同类型的结构,包括增强型和耗尽型N沟道和P沟道MOS管。此外,还提及了MOS管相对于BJT的优势,并简述了其在功率应用中的特殊类型如LDMOS和VDMOS。

说在开头:关于海森堡和泡利(2)

如果要用一个词来形容泡利,那就是聪明,聪明绝顶。不过他的教父更牛,是哲学大神马赫。泡利1918年刚刚中学毕业,就带着父亲写的推荐信来找索末菲;他要求不上本科了,直接读研究生,索末菲吓了一跳,再一问,原来泡利在高中就已经把大学课程给自学了(想想我自己本科那混混样,真想抽自己两大嘴巴);索末菲就答应了下来,那阵子德国《大百科全书》正在准备编写“广义相对论”的词条,索末菲就让泡利去干。结果泡利写了两百多页,足够出一本书了。后来爱因斯坦看到泡利写的东西,根本不敢相信是一个20岁的小伙子写的。泡利去听爱因斯坦讲座,坐在最后一排,问起问题来火药味十足,闹得爱因斯坦都招架不住。后来爱因斯坦讲座开讲前都会先往最后一排扫一眼,看看泡利来了没有,估计看到泡利就头疼。泡利因此获得了一个人见人怕的外号:上帝之鞭。

爱因斯坦看见泡利进来,心头一颤:这刺头又来作甚?爱因斯坦认真地完成了讲座,所有人都等着他发问,哪知道泡利嘟囔了一句:我觉得爱因斯坦并不完全是愚蠢的。对于泡利来说着已经了很高的评价了,他最高的评价是:哦,这竟然没什么错。这就是天才,连另一个物理学天才朗道见到泡利,气焰也要弱上三分。但是这么嚣张的人,也有让他收敛的人,那人就是他的授业恩师:索末菲;索末菲很威严也很和蔼,泡利这么狂傲的人见了索末菲立刻就拘谨了;哪怕日后成了大家,见到导师索末菲一进屋,立刻站起来相迎。

索末菲原来是数学出身,后来转向了物理学,他常常对海森堡这些人说,要想成为优秀的物理学家,有三件事要做:1,学习数学;2,学习数学;3,坚持前两条。泡利、海森堡等一大堆学生就是这么给教育出来的。他最擅长的事就是把别人的理论拿过来用数学加以完善和扩展,对玻尔的原子模型就是这么干的。他还对新的知识特别关注,当年爱因斯坦狭义相对论一发表,他就立刻表示支持,对新鲜事物也接受的非常快。索末菲原本有希望在1922年跟玻尔一同获得诺贝尔物理学奖,但很遗憾没有拿到。据说他前后被提名了80多次诺奖,结果一次都没通过。1919年,他出版了一本书《原子结构和光谱线》,几乎是当时量子论的圣经。

一,MOS管概念

1947年BJT发明后,人们终于可以“随心所欲”的控制半导体开关;但是BJT应用有较大的局限性:1,控制它需要较大的电流(电流驱动);2,由于少子电荷存储的问题(反向恢复时间长)限制了其工作频率。不就之后有人发明了FET,其工作频率要比BJT高的多,而且几乎不需要电流驱动(电压驱动);1960年,有人提出使用金属-氧化物来提升双极性晶体管的特性,从此诞生了MOS管。

MOS管的全称是MOSFET,中文全称就是:金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor);辣这么长的一个名字,我们该怎么来理解它呢?

首先,“金属-氧化物-半导体”

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