<?xml version="1.0" encoding="utf-8" ?><rss version="2.0"><channel><title><![CDATA[WaytoICT- Explore ICT Technology, Build Your Tech Path]]></title><description><![CDATA[ICT领域内的知识性平台]]></description><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee</link><language>zh-cn</language><generator>https://blog.csdn.net/</generator><copyright><![CDATA[Copyright &copy; WaxberryLee]]></copyright><item><title><![CDATA[基础知识：硅光芯片中的热光效应]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/162206561</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/162206561</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Mon, 22 Jun 2026 16:28:25 +0800</pubDate><description><![CDATA[本文介绍了透明光学材料的热光效应及其物理机制。热光效应表现为折射率随温度变化，其原理主要涉及两方面：热膨胀导致电子密度降低（折射率下降），以及原子热振动加剧增强电子活跃度（折射率上升）。以硅为例，电子活跃度变化起主导作用，使其呈现正热光系数。文章还列举了热光效应在光通信器件中的典型应用：马赫-曾德尔干涉仪通过加热调控相位差实现光开关功能，但响应速度较慢；此外还用于补偿铌酸锂调制器漂移和稳定DFB激光器波长（需配合TEC控温）。本文由半导体光电器件科普账号发布，欢迎相关领域爱好者关注交流。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[关于玻璃基板]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/162148972</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/162148972</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Mon, 22 Jun 2026 16:23:05 +0800</pubDate><description><![CDATA[【摘要】玻璃基板技术预计2026年进入量产阶段，Intel已推出首款采用玻璃基板的处理器，台积电、三星等巨头同步布局。该技术突破有机基板物理极限，通过TGV（玻璃通孔）实现垂直互连，但良率仍是量产关键挑战。玻璃基板具备热膨胀系数接近硅、介电损耗低等优势，可支持更大封装面积（面板级达晶圆3.6-4.9倍）。目前LIDE激光刻蚀技术最有望实现高深宽比TGV量产，应用覆盖中介层替换和CPO封装，尤其在高速数据传输领域性能显著优于传统方案。尽管面临脆性、分层等工艺难题，玻璃基板仍被视为下一代先进封装的核心材料。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[芯片为什么要进行封装？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145683273</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145683273</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Mon, 17 Feb 2025 14:58:57 +0800</pubDate><description><![CDATA[支撑方面，封装不仅固定芯片，便于电路连接，还能在封装完成后，形成一定的外形以支撑整个器件，使其更加耐用。封装材料的选择和工艺的精细程度，决定了芯片在各种环境条件下的耐用性和长期稳定性。通过精心设计的封装，可以显著提高芯片的性能和可靠性，确保其在各种应用中的长期稳定运行。封装的目的是为了让芯片在离开特定的生存环境后，依然能够正常工作，避免因环境变化而损毁。在半导体制造过程中，芯片封装是一个至关重要的环节，它确保了芯片的稳定性和耐用性。连接方面，封装确保了芯片的电极与外部电路的连通，实现信号和电力的传输。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[50个光刻相关问答，你能得几分？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145683212</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145683212</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Mon, 17 Feb 2025 14:56:56 +0800</pubDate><description><![CDATA[由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此 将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[为什么顶层硅的厚度通常为220 nm?]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145682467</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145682467</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Mon, 17 Feb 2025 14:36:00 +0800</pubDate><description><![CDATA[下图是波长为1550nm时，顶层硅厚度为220nm宽为500nm的条形波导（一种平板波导的变体，核心区被设计成窄条形状，两侧和底部被低折射率的包层包围）的基模场模拟分布图：其场和能量被严格限制在波导内容。注意，在某些类型的绝缘体上硅（SOI）技术中，为了隔离顶层硅的应力，更好的热绝缘以及更好的电气隔离性能，顶层硅也是被氧化物完全包围的，并且可以允许在波导上方进行金属互联。硅衬底，有的地方也叫硅基底，它这是传统的硅晶片，是整个结构的基础，典型的8 inch的SOI晶圆其衬底的厚度为 725 μm。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[什么是可调谐激光器 ，有哪些方法可调谐？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145682394</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145682394</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Mon, 17 Feb 2025 14:29:10 +0800</pubDate><description><![CDATA[通过一对棱镜把不同波长的光分散开来，棱镜对在空间上分散了不同的波长分量，因此可以使用可移动狭缝将波长从最大增益波长移开，然后用一个可以移动的狭缝来选择我们想要的波长。另外，一些半导体激光器可以通过改变结温在几纳米范围内进行调谐，但一些特殊类型如外腔二极管激光器和分布式布拉格反射器激光器，可以通过腔内衍射光栅在 40 nm 或更高范围内进行调谐。大多数可调谐激光器工作时发出的激光带宽不大，根据应用需求，可调谐激光器可以是单频的，只发出一种特定频率的光；]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[传统IM-DD系统的局限性]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145682294</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145682294</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Mon, 17 Feb 2025 14:26:09 +0800</pubDate><description><![CDATA[降低色散影响的常规方法包括：采用 1310nm 波段的波长信号，该波长在 G.652 标准单模光纤（SSMF）中具有接近零色散的特性，但受限于该波长缺乏低成本光放大器及边缘信道色散增加问题，此方案仅支持单信道或极少数信道传输。以 56GBaud 的四电平脉冲幅度调制（PAM-4）IM-DD 系统为例，单波长 100Gb/s 的传输要求色散容限约为 ±30ps/nm。DCM 采用特种光纤或布拉格光栅等光学器件，在 1550nm 波段提供负色散补偿，使整体光通道（传输光纤+DCM）达到零色散状态。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[什么是光交换（OCS）技术？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145569130</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145569130</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Tue, 11 Feb 2025 12:47:01 +0800</pubDate><description><![CDATA[而随着通道数增加，交叉矩阵规模增大，对角端口等大角度交叉对准时，要求光纤准直器的转角与位移增大，这对压电陶瓷驱动的性能要求提高，且实现位移所需的空间体积增加，相应的增加了光信号传输距离，插损进一步增加，一定程度上制约了光交叉连接的规模光束直接偏转技术的核心是固态驱动技术，利用压电陶瓷机电耦合效应特性，将电能转换成机械能来产生位移，直接驱动准直器或者透镜的移动，以改变光束的传输方向，并实现对应准直器组件的直接耦合。插入损耗：插入损耗是光信号通过光交换时的功率损耗，较低的插入损耗有助于提高信号质量和传输距离。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[BGP, EVPN, VXLAN，还是 SRv6?]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145569078</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145569078</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Tue, 11 Feb 2025 12:42:59 +0800</pubDate><description><![CDATA[本文编译自ipspace的博客.如果仅需实现第3层功能，我很好奇EVPN究竟能提供什么。例如，如果你不需要VRF，或者仅需少量VRF，那么可以直接运行纯L3 BGP架构。但如果需要大量VRF，那么可以选择MPLS/VPN、SR-MPLS或SRv6。在之前的咨询工作中，我也多次遇到类似的问题。这通常是由于厂家在PPT中堆砌大量缩写词，却没有解释基本原理。下面让我们来解决这个问题。IP 网络采用逐跳目标转发，仅使用单个转发表。如果这就是你的需求，那么请远离那些缩写词；你只需要决定使用哪种路由协议即可。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[如何向 50G-PON 演进？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145569021</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145569021</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Tue, 11 Feb 2025 12:38:33 +0800</pubDate><description><![CDATA[随着50G-PON的G.9804.1标准在现有的上行波长频段US1（1260nm-1280nm）和US2（1290nm-1310nm）中间增加第三个上行波长频段US3（1284nm-1288nm），这样，50G-PON可以采用US3（1284nm-1288nm）波长选项，与GPON、XG(S)-PON的波长不重叠，通过波分方式实现与现网GPON及XG(S)-PON的共存。为了实现已部署的PON网络向50G-PON的平滑演进，满足不同业务的组网需求，已部署的PON网络和50G-PON将在一定时间内共存。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[一个数据包到底有多大？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568842</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568842</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Tue, 11 Feb 2025 12:23:06 +0800</pubDate><description><![CDATA[值得注意的是，IEEE 802.11 Wifi规范定义了2,304八位字节的MTU，但大多数主机实现仍使用1,500八位字节的MTU值，以减少在WiFi接入网络移动到完整路径中的下一跳时可能出现的数据包丢失风险。但是，这些巨型帧存在许多问题。在10Mbps以太网中，帧（或数据包）的有效载荷大小介于46到1500个八位字节之间，加上以太网帧格式所增加的18个八位字节（包括12个八位字节的MAC地址、2个八位字节的帧长度和4个八位字节的CRC校验），这些帧大小是经过精心权衡数据定时和网络利用率后确定的结果。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[蜂窝网络+Wi-Fi如何实现无缝切换？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568823</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568823</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Tue, 11 Feb 2025 12:21:06 +0800</pubDate><description><![CDATA[ePDG是一种网络元素，旨在实现3GPP网络（如LTE/5G核心网）与非3GPP网络（如Wi-Fi）之间的安全访问和互通。简而言之，ePDG的主要作用是在3GPP网络（如LTE/5G核心网）与非3GPP网络（如Wi-Fi）之间建立连接。随着Wi-Fi热点数量的增加以及对灵活移动服务的需求增长，ePDG在提升网络覆盖率、安全性和用户体验方面发挥着至关重要的作用。1. 安全连接：通过IPsec隧道，ePDG能够将用户设备（UE）从不受信任的Wi-Fi网络安全地连接到运营商的核心网络，并加密数据以确保通信安全。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[OSPF 还是 eBGP ？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568806</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568806</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Tue, 11 Feb 2025 12:20:15 +0800</pubDate><description><![CDATA[其中，N 代表每个设备上的 100G 接口数量（例如 200、400 或 800 Gbps），而 Y 则是两个设备之间的并行链路数量（例如，2×100G、4×400G 或其他组合的 ECMP，即等价多路径）。传统的观念可能会导致确认偏差。有趣的是，在多级 Spine-Leaf 结构中，由于多跳更新传播过程，仅使用 eBGP 的实现可能比使用集中式路由反射器的 iBGP 实现更慢，而不是更快。在这样的架构中，Spine 交换机彼此之间不直接连接，且不存在任何路由，这样做的目的是为了避免常见的故障域扩散。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[宽带激光二极管]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568324</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568324</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Tue, 11 Feb 2025 11:48:45 +0800</pubDate><description><![CDATA[由于发射区域的高度（如1μm）较小，光束在垂直方向上可以实现单模传输，从而获得接近衍射极限的光束质量，M²因子略高于1。宽带激光二极管（也称为宽条纹激光二极管、多模单发射器激光二极管、宽发射器激光二极管、单发射器激光二极管或高亮度二极管激光器）是一种边发射激光二极管，其前端的发射区域呈宽条纹形状，尺寸通常为1μm（高度）×100μm（宽度）。作为宽带激光二极管的替代方案，可以使用锥形放大器，既可以作为MOPA（主振荡功率放大器）设备的一部分，也可以作为外腔二极管激光器。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[什么是直接检测？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568302</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568302</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Tue, 11 Feb 2025 11:47:54 +0800</pubDate><description><![CDATA[在通信技术发展的早期，当每个收发器接口的速率需求仅为10 Gb/s和40 Gb/s时，DD系统因其简单高效而被广泛应用于各种光纤通信场景，从短距离城域网连接到核心网络中的长距离链路。同时，我们还会介绍一些先进的DD系统，这些系统通过采用新型的发射端和接收端设计，能够实现短距离应用中的超高接口速率。相干系统在发射端需要使用数模转换器（DAC）和双极化I/Q调制器，在接收端则需要光学混频器、四对平衡光电探测器以及四个模数转换器（ADC），而DD系统则避免了这些复杂的组件。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[直接检测的原理是怎样的？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568277</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568277</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Tue, 11 Feb 2025 11:47:02 +0800</pubDate><description><![CDATA[对于DD系统，一种流行的外部调制器是电吸收调制器（EAM）。施加的电场会改变半导体的光学吸收谱（从而改变调制器输出功率），这一特性被称为Franz-Keldysh效应。这种方法可以最小化制造和封装成本。研究和实验室演示表明，DML可以达到超过50 GHz的带宽，并能够以超过100 Gb/s的速度调制数据。然而，基于DML的DD系统的应用主要受限于DML的有限消光比以及激光啁啾等问题，即调制会直接改变激光频率。经过光纤传输和光电检测后，接收器执行时钟恢复，并设定适当的阈值来判断接收到的符号是逻辑0还是1。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[为什么硅片是圆形的？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568112</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/145568112</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Tue, 11 Feb 2025 11:41:29 +0800</pubDate><description><![CDATA[与微芯片制造相比，太阳能电池的制造过程相对简单，因此可以使用矩形硅片，而且其边缘还可以进行倒角处理。虽然最终的微芯片是矩形的，但硅片在制造时却是圆形的。不过，由于微芯片是矩形的，圆形硅片上总会有一些无法完全利用的区域，这些区域最终会被丢弃。而在直径200毫米（含）以上的硅锭上，为了减少浪费，仅裁剪出一个圆形小口，称为“V槽”（Notch）。此外，硅片在运输时需要夹持，如果加工到边缘，可能会导致外层材料剥落。在微芯片制造中，许多工艺（如化学气相沉积、蚀刻、旋涂等）都是径向对称的，圆形硅片更容易实现均匀加工。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[G.654E光纤到底是怎样的？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/139907545</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/139907545</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Sun, 23 Jun 2024 22:17:03 +0800</pubDate><description><![CDATA[我们的第一印象是光纤的损耗必须要低。如果能在光纤中尽可能承载多的波长(40--80--96--120--...)，同时单个波长的速率越来越大（100G--200G--400G--800G--...），还要传输的足够远（天涯海角无中继.....）。另外，当与原有线路的G.652光纤对接时，需要考虑熔接损耗，两种不同类型的光纤，根据上面所说，不同类型光纤的MFD模场直径是不一样的。究其原因是，在光纤有效面积一定的时候，入纤光功率在单位面积上的密度会随着功率的增加而增大，带来非常严重的非线性效应。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[光退铜进？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/139907516</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/139907516</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Sun, 23 Jun 2024 22:15:25 +0800</pubDate><description><![CDATA[需求减少，由于GB200方案通过改进的NVSwitch架构和铜缆互联大幅提升了单机柜内部的算力密度，原本需要更大规模集群才能达到的计算需求现在仅需较少数量的机柜就能实现，这意味着在一定规模的集群内部，光模块的使用数量将显著下降，特别是在中小规模的集群搭建中，光模块的需求被大量取代。不过，现阶段采用的是200G铜缆互联，后续可能计划升级至400G，但随着速率的提升，铜缆的传输距离是快速变短的，例如200G铜缆支持7米，400G铜缆为2.5米，800G铜缆则限于1米。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[光纤通信中的遥泵放大器是怎样的光放大器？]]></title><link>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/139907505</link><guid>https://blog.csdn.net/WaxberryLee/article/details/139907505</guid><author>WaxberryLee</author><pubDate>Sun, 23 Jun 2024 22:14:48 +0800</pubDate><description><![CDATA[当有信号光进入时，若信号光的光子能量等于能级E2和E1之差，则当处于能级E2的铒离子返回基态E1时就产生大量与自身完全相同的光子，这时通过掺铒光纤传输的信号光子迅速增多，产生信号放大作用，使信号光放大获得增益。它的工作原理是通过在光纤内部掺杂铒离子，然后使用特定波长的激光作为泵浦源，使铒离子从能量较低的状态跃迁至较高状态，进而吸收泵浦光的能量，并在信号光通过时将其释放出来，达到放大信号的目的。主要考虑两个方面的影响，一个是光纤的传输损耗，二是拉曼放大的频移增益效应。]]></description><category></category></item></channel></rss>