从实际电路中,分析原理;可以做实验板,进行实际测试;
BJT
1> PN结
1.1> N型半导体 与 P型半导体
N : Negative, 正的;
P:Positive,负的;
1.2> 符号含义
1.3> PN结形成
1.4> PN结电场
1.5> PN结正向导通
外加正向偏置电压,
电池中的电子流向N区,电子浓度变大;
P型半导体中的电子流向电池电池,P区空穴增多;
P区空穴,和N区电子,浓度增大,PN结的耗尽层减下,内电场减小;
当外部电场,大于内部电场时,扩散运动就会持续下去,电路导通;
1.6> PN结反向截止
外加反向偏置电压;
N区的电子会流向电电池,空穴增多;
电池中的电子会流向P区,空穴减少;
N区电子和P区的空穴,浓度降低,PN结的耗尽层增大,内电场增大⬆;
内电场增大阻碍 N区电子和P区空穴的扩散运动,电路截止;
内电场的增大了,少子(P区电子和N区空穴)的运动;
少子数量少,只能形成微小电流,几个微安左右;
1.7> 结论
PN结中能正向导通;
2> NPN型三极管
2.1> 三极管结构
工艺:
发射区E;掺杂浓度高;
基区B:很薄且掺杂硼元素浓度很低;
集电区: 面积很大;
为方便分析,集电极C电子先去掉;
2.2> 三极管内部电子的运动
iE: 发射结加正向电电压,加大扩散运动形成发射极电流;
由于 1-发射结加正向电压,2-发射结电子浓度高,所以大量自由电子,因扩撒运动越过发射结到达基区;
iB:扩散到基区的电子与空穴复合,形成基极电流;
由于1-基区很薄,2- 空穴浓度低,3- 集电结又加了反向电压,所以扩散到基区的电子只有极少部分与空穴复合,其余部分到达【集电结】;
iC:集电结加反向电压,电场力作用下形成集电极电流;:
由于 1-集电结加了反向电压,2-结面积大,所以到达集电结的电子,在电场作用下越过集电结到达集电区;