电子电路设计日志（2）：CH347了解与使用 | 去耦电容学习

本人为在校大学生，于2024年9月起进行电子电路设计学习，并将学习内容记录于此，方便回顾。

内容多源于网络。

对于理解偏误之处欢迎各位前辈及同仁批评指正。

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一、CH347

CH347由南京沁恒微电子股份有限公司推出，是一款高速USB总线转接芯片，通过USB总线提供异步串口、I2C同步串行接口、SPI同步串行接口和JTAG接口等。

关于该芯片具体功能及其他问题可在该公司官网查阅并下载说明文档。此处不做赘述。

笔者希望基于该芯片实现USB转串口及SWD接口功能。 

二、去耦电容

（该部分为本篇主要内容）

1、为什么使用？

理想情况下的电源，对于某个负载的情况如下图。

但是电路板上各个负载的工作时都会产生瞬时阻抗变化，导致电流瞬时变化，造成地和电源信号的电压波动。

电源端波形，无去耦电容（左），有去耦电容（右）。 

       去耦（decoupling）电容也称退耦电容，一般都安置在元件附近的电源处，用来滤除高频噪声，使电压稳定干净，保证元件的正常工作。也可以被称之为旁路（Bypass）电容，因为该电容将DC上耦和的噪声给旁路到地上去了。 

2、物理特性

实际的电容可以等效成下面的电路形式：

（图片源自网络）

电阻（ESR）：固定阻抗，不随频率改变;

电感（ESL）：非固定阻抗，与频率成正比。

且三部分的值与电容的类型、容值、封装都有很大的关系。

陶瓷电容：具有很低的ESR和ESL，且价格便宜。

钽电容：具有适中的ESR和ESL，但相对有较高的电容/体积比（因此它们用于更高值的旁路电容，用于补偿电源线上的低频变化）。钽电容比较容易击穿而呈短路特性，抗浪涌能力差。

对于陶瓷和钽电容，较大的封装通常意味着较高的ESL。

3、使用的注意事项

观察下面图片（二者均为多层陶瓷电容器）

                                      

（数据均来自在线设计辅助软件“SimSurfing”）

    SimSurfing - 村田制作所

二者抑制高频频点不同，带来两条经验。 

1、使用去耦电容时关注其频率特性。（目前只知道三星生产的电容可以查到这一数据）

2、多个电容并联使用可以实现多频点抑制。 

3、不同数量级容量的电容并联使用可以实现更宽频段的抑制。