3.1存储器概述
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1. 存储器分类
按层次分类
- 主存储器:
- 又称主存、内存。
- 用来存放计算机运行期间所需的程序和数据,CPU可以直接随机地对其进行访问,也可以和Cache或外存交换数据。
- 容量小、存取速度较快、单位价格高。
- 辅助存储器:
- 又称外存、辅存。
- 用来存放当前暂时不用的程序和数据,以及一些需要永久性保存的信息。外存的内容需要调入主存后才能被CPU访问。
- 容量大、存取速度较慢、单位价格低。
- 高速缓冲存储器:
- 又称Cache。
- 位于主存和CPU之间,用来存放当前CPU经常使用的指令和数据,以便CPU能高速地访问它们。
- 容量小、价格高。现代计算机一般将Cache制作到CPU中。
按存取方式分类
区别 | RAM | ROM |
---|---|---|
存取特点 | 可读可写,随机存取 | 可读不可写,随机存取 |
用途 | 通常用作主存 | 通常用于存放固定不变的程序 |
- 随机存储器RAM
- 随机存取,存取时间与物理地址无关。
- 主存/Cache使用这种存储器
- 易失性
- 只读存储器ROM:
- 只能随机读出,不可写入。
- 可与RAM共同作为主存的一部分,统一构成主存的地址域。
- 非易失性。
- 串行访问存储器:
- 需按其物理位置的先后顺序寻址。
- 包括顺序存取存储器(如磁带)与直接存取存储器(如磁盘、光盘)。前者只能按照某种顺序存取,后者存取信息时通常先寻找整个存储器中的某个小区域,再在小区域内顺序查找。
2.易失性和破坏性
易失性与非易失性
- 易失性存储器:
- 断电后存储信息即消失的存储器。
- 如RAM。
- 非易失性存储器:
- 断电后信息仍然保持的存储器。
- 如ROM、磁表面存储器、光存储器。
破坏性读出
- 破坏性读出:
- 存储单元中所存储的信息被读出后,原存储信息被破坏。
- 如DRAM。
- 具有破坏性读出性能的存储器,每次读出操作后,必须紧接着一个再生的操作,以便恢复被破坏的信息。
3.多级层次的存储结构
- 主存和Cache之间的数据调动是硬件自动完成,对所有程序员透明(不可见)
- 主存和辅存之间的数据调动是硬件和操作系统共同完成,对应用程序员透明(不可见)
4. RAM
SRAM
- 静态随机存储器
- 存储元用双稳态触发器(六晶体管MOS)来记忆信息,非破坏性读出。
- 存取速度快,集成度低,价格昂贵。
- 一般用于Cache
DRAM
-
动态随机存储器
-
利用存储元电路中的栅极电容上的电荷来存储信息,破坏性读出
-
容易集成,价位低,容量大
-
DRAM每隔一段时间必须刷新。常用的刷新方式有三种:
- 集中刷新:在一个刷新周期内利用一段固定的时间依次对存储器的所有行进行再生。
- 分散刷新:把对每行的刷新分散到各个工作周期中,前半部分用于正常读写、保持,后半部分用于刷新。原本的存取周期=刷新周期,加入了新周期后,存取周期=读写周期+刷新周期=2*读写周期。
- 异步刷新:将刷新周期除以行数,得到两次刷新操作之间的时间间隔t,每隔时间t产生一次刷新请求。
二者比较
比较项目 | SRAM | DRAM |
---|---|---|
存储信息 | 触发器 | 电容 |
破坏性读出 | 非 | 是 |
需要刷新 | 否 | 是 |
送行列地址 | 同时送 | 分两次送 |
运行速度 | 快 | 慢 |
集成度 | 低 | 高 |
存储成本 | 高 | 低 |
主要用途 | cache | 主存 |
5. ROM
一开始是真的只读,随着发展就可以读写了,以下是分类
类别 | 掩模式只读存储器MROM | 一次可编程只读存储器PROM | 可擦除可编程只读存储器EPROM | Flash存储器 | 固态硬盘SSD |
---|---|---|---|---|---|
能否写入 | 只有制造厂可写入 | 允许用户写入 | 可写入 | 可写入 | 可写入 |
能否擦除 | 一旦写入就无法改变 | 一旦写入就无法改变 | 可改写但次数有限 | 可擦除 | 可擦除 |
- U盘是Flash存储器,即U盘是一种ROM存储器。