双电源或多电源并联供电 在专业的术语中被叫做冗余电源，用传统的术语叫做双电源并联或者多电源并联，但是往往并联的电源输出电压并不一致，或者主电源使用的开关电源，而备份电源使用的超级电容或锂电池。那么这样就产生了并联后互相灌电流的情况，电压高的电源会有电流流入电压低的电源中，这并不是用户所希望的。传统的解决方案是通过肖特基进行输出端的并联使用，如下图所示，但是由于半导体工艺的限制，肖特基是有一定的压降的，而且随着电流的增加而变大，进而会导致功率损耗以及热处理的问题，严重的会产生失效问题。比如在服务器，在电表，在数据中心等场合。
“零”压降肖特基~理想二极管基础知识 在上图中，两种方式都可以明显的降低导通路径的压降，也可以实现反接的保护。理想二极管，顾名思义就是压降为零的二极管，但是智能存在于理想之中，目前常用的方案是用P-MOSFET或N-MOSFET加驱动的方式来实现超低压降的正向导通，那么为了方便驱动，PMOS往往放在正端，而NMOS往往放在负端，如下图所示。第三个问题是肖特基并联带来的失效风险，由于肖特基的压降是负温度特性，即温度越高压降越低，那么在并联场景中压降低的走电流大，带来的温升高导致压降越低，那么走电流越大，如此恶性循环会有肖特基失效风险。
高压电池包BMS的高边驱动方案 如上图所示，QC和QD分别是BMS在高侧应用的充电管和放电管，其驱动电压分别由两路来自于MX6501T的隔离电源产生。而充电管和放电管的驱动信号分别来自于AFE产生的充放电开关信号CHA-DRV和DIS-DRV，二者在经过光耦隔离后利用MX6501T产生的隔离电源进行充放电的开关动作。下面介绍基于无锡明芯微电子MX6501T的推挽隔离电源驱动方案，目前已应用于割草机、电动两轮车BMS、充电高边MOS控制，且各行业头部客户应用居多。3.3V转3.3V；3.3V转3.3V；
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