黑猫带你学NandFlash第6篇：NAND寻址（行列地址和block/page/LUN之间的关系）

已于 2024-02-20 08:21:29 修改
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分类专栏： 黑猫带你学：Nand Flash详解 文章标签： nand flash 存储芯片 emmc 嵌入式硬件
于 2023-11-05 17:14:54 首次发布
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本文详细介绍了NAND Flash的物理寻址机制，包括行地址和列地址如何确定block、page和LUN的位置。通过实例分析了不同型号如MT29F4G08和3D NAND Flash的寻址过程，并探讨了多plane寻址的特点。内容还涉及了SLC和TLC的寻址差异以及物理地址计算公式。
摘要由CSDN通过智能技术生成

本文依据不同型号NandFlash spec及个人工作经验整理而成，如有错误请留言。
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文章所在专栏：《黑猫带你学：NandFlash详解》

本文大约2000字，主要讲解：nand flash如何物理寻址、多plane又是如何寻址、相关计算公式等。从原理理解行列地址和block/page/LUN之间的关系。

抛砖引玉
稍微了解一点nand的朋友都知道，nand是由一个一个MOSFET（cell）组成，形成一个阵列结构，同时为了方便管理nand的这些cell，划分了lun、block、page等区域。下面两张图相信大家都是有见过的。
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那么这

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黑猫带你学NandFlash第4篇：NandFlash结构详解
黑猫奥利奥的博客
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