MOSFET是什么：工作及其应用-CSDN博客

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MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大。由于MOSFET的尺寸非常小，因此MOSFET既可以是核心也可以是集成电路，可以在单个芯片中进行设计和制造。MOSFET器件的引入带来了电子开关领域的变化。

1 什么是MOSFET？

MOSFET是具有源极（Source），栅极（Gate），漏极（Drain）和主体（Body）端子的四端子设备。通常，MOSFET的主体与源极端子连接，从而形成诸如场效应晶体管的三端子器件。MOSFET通常被认为是晶体管，并且在模拟和数字电路中都使用。这是MOSFET的基本介绍。该设备的一般结构如下：

场效应晶体管

根据上述MOSFET结构，MOSFET的功能取决于沟道宽度中发生的电气变化以及载流子（空穴或电子）的流动。电荷载流子通过源极端子进入通道，并通过漏极离开。

沟道的宽度由称为栅极的电极上的电压控制，该电极位于源极和漏极之间。它与极薄的金属氧化物层附近的通道绝缘。器件中存在的MOS容量是整个操作的关键部分。

带有端子的MOSFET

MOSFET可以通过两种方式发挥作用：

1）耗尽模式（Depletion Mode）

2）增强模式（Enhancement Mode）

耗尽模式

当栅极端子两端没有电压时，该通道将显示其最大电导。而当栅极端子两端的电压为正或负时，则沟道电导率会降低。

举例：

增强模式

当栅极端子两端没有电压时，该器件将不导通。当栅极端子两端的电压最大时，该器件将显示出增强的导电性。

增强模式

2 MOSFET的工作原理

MOSFET器件的主要原理是能够控制源极端子和漏极端子之间的电压和电流。它几乎像一个开关一样工作，并且该设备的功能基于MOS电容器。MOS电容器是MOSFET的主要部分。

通过分别施加正或负栅极电压，可以将位于源极和漏极端子之间的下氧化层处的半导体表面从p型反转为n型。当我们对正栅极电压施加排斥力时，氧化层下方的空穴将与基板一起向下推动。

耗尽区由与受体原子相关的结合的负电荷构成。当到达电子时，会形成一个通道。正电压还将电子从n +源极和漏极区吸引到沟道中。现在，如果在漏极和源极之间施加电压，电流将在源极和漏极之间自由流动，而栅极电压将控制沟道中的电子。代替正电压，如果我们施加负电压，则将在氧化物层下方形成空穴通道。

MOSFET方框图

P沟道MOSFET

P沟道MOSFET具有位于源极端子和漏极端子之间的P沟道区域。它是一个四端子设备，其端子分别为栅极，漏极，源极和主体。漏极和源极是重掺杂的p +区域，主体或衬底为n型。电流流向带正电的空穴的方向。

当我们在栅极端子上施加具有排斥力的负电压时，存在于氧化层下方的电子将被向下推入基板。耗尽区由与施主原子相关的结合正电荷构成。负栅极电压还将吸引来自p +源极和漏极区域的空穴进入沟道区域。

耗尽模式P通道

P通道增强模式

N沟道MOSFET

N沟道MOSFET具有位于源极和漏极端子之间的N沟道区域。它是一个四端子设备，其端子分别为栅极，漏极，源极，主体。在这种场效应晶体管中，漏极和源极是重掺杂的n +区域，衬底或主体是P型的。

由于带负电的电子，在这种类型的MOSFET中发生电流流动。当我们在栅极端子上施加具有排斥力的正电压时，存在于氧化层下方的空穴将被向下推入基板。耗尽区由与受体原子相关的结合负电荷构成。

在电子到达时，形成通道。正电压还将电子从n +源极和漏极区吸引到沟道中。现在，如果在漏极和源极之间施加电压，则电流将在源极和漏极之间自由流动，而栅极电压将控制沟道中的电子。如果我们施加负电压，则将在氧化层下方形成一个空穴通道，而不是正电压。

增强模式N通道

MOSFET工作区

在最一般的情况下，此设备的操作主要发生在三个区域，这些区域如下：

截止区域–这是设备将处于关闭状态且零电流流过的区域。在此，该设备用作基本开关，并在需要用作电气开关时使用。
饱和区域–在该区域中，器件的漏极至源极电流值将保持恒定，而无需考虑漏极至源极两端的电压升高。当漏极到源极端子之间的电压增加超过夹断电压值时，只会发生一次。在这种情况下，该设备用作闭合开关，在该开关中，流过漏极至源极端子的电流达到饱和水平。因此，当设备应该进行切换时，选择饱和区域。
线性/欧姆区域–该区域是漏极至源极两端的电流随漏极至源极路径两端电压的增加而增强的区域。当MOSFET器件在此线性区域中工作时，它们将执行放大器功能。

现在让我们考虑MOSFET的开关特性

诸如MOSFET或双极结晶体管之类的半导体在两种情况下也基本上起着开关的作用：一种是导通状态，另一种是截止状态。为了考虑这种功能，让我们看一下MOSFET器件的理想和实用特性。