一文了解US6K4TR


规格信息

FET类型：2 个 N 沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.5nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：110pF @ 10V

功率-最大值：1W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TUMT6

型号：US6K4TR

封装形式Package：TUMT

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS ：20V

连续漏极电流ID：1.5A


特性及优势：

低导通内阻，高开关速度

1.8V驱动

2个Nch MOSFETs 集成于TUMT6封装


主要应用：

开关用途