“存”相关

内存

内存(Memory)是计算机的重要部件，也称内存储器和主存储器，它用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。它是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成，CPU将结果传送出来。

在计算机的组成结构中有一个很重要的部分是存储器。它是用来存储程序和数据的部件。

储器的种类很多。按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（内存）

内存又称主存。它是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。特点是存取速率快。

我们平常使用的程序，如：Windows操作系统、打字软件、游戏软件等。一般安装在硬盘等外存上，但仅此是不能使用其功能，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能。

发展：

最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上，每个磁芯与晶体管组成的一个双稳态电路作为一比特（BIT）的存储器。

后来出现了焊接在主板上的集成内存芯片，以内存芯片的形式为计算机的运算提供直接支持。

鉴于内存芯片存在着无法拆卸更换，将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，电脑主板上也改用内存插槽。（内存条）

SIMM内存条：

SIMM（Single In-lineMemory Modules，单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb，必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个bank。30pin SIMM一般是四条一起使用。

72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，单条容量一般为512KB ～2MB，而且仅要求两条同时使用。

EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外扩充数据模式存储器）内存，工作电压为一般为5V，带宽32bit，速度在40ns以上，其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上。同FPM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速页面模式存储器）极其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面。EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情况，事实上EDO内存也属于72pin SIMM 内存的范畴。凭借着制作工艺的飞速发展单条EDO内存的容量已经达到4 ～16MB。由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM与FPM DRAM都必须成对使用。

SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此，它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，速度明显超越EDO 内存。由早期的66MHz，发展至后来的100MHz、133MHz。SDRAM PC133内存的带宽可提高到1064MB/S。

Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec。

DDRSDRAM(Double Data Rate SDRAM)简称DDR，也是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。第一代DDR200 规范没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽）是由PC133SDRAM内存所衍生出的。

DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。

VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成。它集成了“通道缓存”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据，都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上。

Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一种内存规格，采用了新一代高速简单内存架构，基于一种RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，从而可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为（16bit×2×400MHz/8）1.6GB/s。Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为：ECC (ErroI Checking and Correction，错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块），减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz / 1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。采用8bit预取设计，核心工作频率只有100MHz。采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。部分厂商已经推出1.35V的低压版DDR3内存。

DDR4工作电压降至1.2V，而频率提升至2133MHz，次年进一步将电压降至1.0V，频率则实现2667MHz。DDR4内存将会是Single-endedSignaling（ 传统SE信号）方式DifferentialSignaling（差分信号技术）方式并存。现在有3200Mhz的ddr4和4266Mhz的LPDDR4。

2023年7月美光宣布已出8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存，基于1β DRAM制程节点高带宽内存（HBM）解决方案，带宽超过1.2TB/s，引脚速率超过9.2Gb/s，比现有HBM3解决方案性能可提升最高50%。

内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。

ROM表示只读存储器（Read Only Memory），在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器停电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。现在比较流行的只读存储器是闪存( Flash Memory)，它属于 EEPROM(电擦除可编程只读存储器)的升级，可以通过电学原理反复擦写。现在大部分BIOS程序就存储在 FlashROM芯片中。U盘和固态硬盘(SSD)也是利用闪存原理做成的。

随机存取内存RAM，随机存储器（Random Access Memory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。主要特性为可随时读出或写入数据，但电源一中断则所储存之数据即消失，主要用来暂存程序与数据。而RAM又可分成动态内存(Dynamic RAM， DRAM)与静态内存(Static RAM，SRAM)两种。DRAM的储存密度较高、成本低，但需加上更新电路，速度较慢。SRAM速度快，但储存密度低、成本高。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有4G,8G,16G,32G等。

1.

DRAM( Dynamic RAM，动态随机存储器)的存储单元是由电容和相关元件做成的，电容内存储电荷的多寡代表信号0和1。电容存在漏电现象，电荷不足会导致存储单元数据出错，所以DRAM需要周期性刷新，以保持电荷状态。DRAM结构较简单且集成度高，通常用于制造内存条中的存储芯片。

2.

SRAM( Static RAM，静态随机存储器)的存储单元是由晶体管和相关元件做成的锁存器，每个存储单元具有锁存“0”和“1”信号的功能。它速度快且不需要刷新操作，但集成度差和功耗较大，通常用于制造容量小但效率高的CPU缓存。

Cache也是我们经常遇到的概念，也就是平常看到的一级缓存（L1 Cache）、二级缓存（L2 Cache）、三级缓存（L3 Cache）这些数据，它位于CPU与内存之间，是一个读写速度比内存更快的存储器。当CPU向内存中写入或读出数据时，这个数据也被存储进高速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时，CPU就从高速缓冲存储器读取数据，而不是访问较慢的内存，当然，如需要的数据在Cache中没有，CPU会再去读取内存中的数据。

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寄存器

寄存器的功能是存储二进制代码， 是CPU内部用来存放数据的一些小型存储区域，用来暂时存放参与运算的数据和运算结果。

它是由具有存储功能的触发器组合起来构成的常用的时序逻辑电路（只包含存储电路）。是CPU内部用来存放数据的一些小型存储区域，用来暂时存放参与运算的数据和运算结果。寄存器的存储电路是由锁存器或触发器构成的，一个锁存器或触发器能存储1位二进制数，寄存器是有限存储容量的高速存储部件，它们可用来暂存指令、数据和位址。

在计算机领域，寄存器是CPU内部的元件，包括通用寄存器、专用寄存器和控制寄存器。寄存器拥有非常高的读写速度，所以在寄存器之间的数据传送非常快。

按照功能寄存器分为基本寄存器和移位寄存器两大类，基本寄存器只能并行送入数据，也只能并行输出。移位寄存器中的数据可以在移位脉冲作用下依次逐位右移或左移，数据既可以并行输入、并行输出，也可以串行输入、串行输出，还可以并行输入、串行输出，或串行输入、并行输出，十分灵活，用途也很广。

寄存器最起码具备以下4种功能。

①清除数码：将寄存器里的原有数码清除。

②接收数码：在接收脉冲作用下，将外输入数码存入寄存器中。

③存储数码：在没有新的写入脉冲来之前，寄存器能保存原有数码不变。 

④输出数码：在输出脉冲作用下，才通过电路输出数码。

寄存器有串行和并行两种数码存取方式。将n位二进制数一次存入寄存器或从寄存器中读出的方式称为并行方式。将n位二进制数以每次1位，分成n次存入寄存器并从寄存器读出，这种方式称为串行方式。并行方式只需一个时钟脉冲就可以完成数据操作，工作速度快，但需要n根输入和输出数据线。串行方式要使用几个时钟脉冲完成输入或输出操作，工作速度慢，但只需要一根输入或输出数据线，传输线少，适用于远距离传输。

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