AO4423二三事

AO4423二三事

       一般说明
       AO4423采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和超低的低栅极电荷，栅极额定值为25V。该器件适合用作负载开关或PWM应用。它受到E8D保护。 AO4423L（绿色产品）提供无铅封装.A04423无铅（符合ROHS和Sony 259规格）.A04423L是绿色产品订购选项。 AO4423和A04423I电气相同。

特征
VDS(V)=-30V 
ID=-15A 
RDS(ON)<7mS2(VGS=-20V)
RDS(ON)<8.5m2(VGS=-10V)
ESD Rating:6000V HBM

规格参数
制造商：ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR    
晶体管类型：P-MOSFET    
极化：单极    
漏极-源极电压：-30V    
漏极电流：-14A    
耗电：2W    
封装：SO8    
栅极-源极电压：±25V    
开启状态电阻：7.2mΩ    
安装：SMD    
栅极电荷：47nC    
通道种类：增强

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