编程语言技巧经验分享

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原创 c语言,有时莫名,有时奇妙----小话c语言(25)

作者:陈曦 日期:2012-8-17 12:53:12环境:[Mac 10.7.1 Lion Intel i3 支持64位指令 gcc4.2.1 xcode4.2]  转载请注明出处Q1: 为什么下面的输出不按照代码的顺序显示?#include #include int main(int argc, char **argv){ while(1)

2012-08-17 12:49:58 3597 6

原创 windows平台的多线程同步互斥:从内核源码分析----小话多线程(3)

作者:陈曦 日期:2012-8-16 13:05:34环境:[win7 32位操作系统  Intel i3 支持64位指令   VS2010;   wrk-v1.2 ;   Source Insight]  转载请注明出处Q1: 举个windows平台简单的线程例子吧。A: 如下,保存为thread_test.c:#include #inclu

2012-08-16 13:01:28 4691

原创 线程问题的核心: 怎么退出线程才是合适的----小话多线程(2)

作者:陈曦 日期:2012-8-5  16:13:36环境:[Mac 10.7.1 Lion Intel i3 支持64位指令 gcc4.2.1 xcode4.2 苹果开源代码Libc-763.11] 转载请注明出处每日总结:优秀的架构都是类似的,垃圾的架构一般都是一个原因:代码内部原理掌握得不够Q1: main函数中最后用return 0; 和使用 exit(

2012-08-05 16:18:03 13025 15

原创 看看多线程,其实没那么可怕----小话多线程(1)

作者:陈曦 日期:2012-8-2 9:55:28 环境:[Mac 10.7.1 Lion Intel i3 支持64位指令 gcc4.2.1 xcode4.2] 转载请注明出处Q1: 对于主线程,创建一个子线程,如何传参数给它?A: 对于pthread线程接口,线程函数参数就满足了这个要求。如下代码:#include #include #defin

2012-08-02 09:53:46 5164 1

JESD209-4B-LPDDR4 中文解读 v2.3

**重要提醒: 解读已更新到v2.3, 包含老版本所有注解** ** 文档不仅是LP4 Spec文档,而是Spec的注释解读。 ** 解读是注释,即文中黄色或绿色下划线的注解,试读看不到。 ** 退款: 承诺如对文档注释不满意,可线下联系作者申请退款。

2022-10-23

DRAM技术精解(第三版 中文) DDRX LPDDRX

** 行业标准: 作者有数年Spec经验, 熟悉JEDEC标准。 ** 咨询: 免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 如对于解读不满意,可线下联系作者申请退款。 对内容质量有疑问,可提前私信咨询。

2022-10-23

DRAM技术精解(第二版 中文) DDR3_DDR4_DDR5_LPDDR3_LPDDR4_LPDDR5.pdf

本文档为DRAM技术精解 DDR3_DDR4_DDR5_LPDDR3_LPDDR4_LPDDR5 中文版第二版. 本文档详细介绍了Dram的历史发展中出现的不同技术,以及技术对应的解决方案 这是最详细的介绍, 把基本DDR 到DDR5,LPDDR 到LPDDR5的所有技术都有涉及. ** 行业标准: 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款.

2022-04-24

JESD209-5_4_3 LPDDR5 LPDDR4 LPDDR3精解

此文档对于JESD标准LPDDR5解读,轻松理解LPDDR5标准。 也包含LPDDR4/LPDDR3标准解读。 问题举例: ** LPDDR5X和LPDDR5有什么区别? ** LP5 DVFS如何实现? ** LP5相比LP4X性能提升明显吗? ** 明明DRAM只是为了存储0或1,Spec为什么设计这么复杂? ** WCK机制有何优势? ** Bank Group为什么能提升性能? ** 行业标准: 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款. 如对内容质量有疑问,可提前私信咨询。

2022-03-12

JESD209-4_3 LPDDR4 LPDDR3精解.pdf

此文档对于JESD标准LPDDR4解读,轻松理解LPDDR4标准。 问题举例: ** LP4 vs LP4X ** 为什么2018旧款 Macbook Pro只用LP3, 而不用LP4? ** Apple M1如何做到性能很强呢? ** LPDDR4有ECC吗? ** LVSTL模型的意义? ** 为什么LPDDR4钟情于16bit per channel? ** Pad Order究竟是何物? ** 为什么有EMCP这种封装? ** 为什么有ZQ pin? ** LPDDR可以取代DDR? ** 为什么LP4和DDR4 prefetch差异很大? ...... ** 行业标准: 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款. 如对内容质量有疑问,可提前私信咨询。

2021-12-12

JESD209-3 LPDDR3精解.pdf

此文档对于JESD标准LPDDR3解读,轻松理解LPDDR3标准。 问题举例: ** DDR3L/DDR3U和LPDDR3的关系是什么? ** 为什么2018旧款 Macbook Pro只用LP3, 而不用LP4? ** Deep Power Down时dram数据还会存下来吗? ** LPDDR3没有RESET pin如何发reset? ** LPDDR3有DIMM吗? ** LPDDR3支持ECC吗? ** DDR3有x4和x8, LPDDR3为什么没有呢? ** LPDDR3 IO模型 ** 手机或PC上的LPDDR3内存可以用DDR3或DDR4内存替换吗? ** LP3不像PC3有DLL, 如何同步CLK和DQS? ** LPDDR3 vs DDR4性能 ...... ** 行业标准: 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款. 如对内容质量有疑问,可提前私信咨询。

2021-11-26

JESD79-5_4_3 DDR5 DDR4 DDR3精解.pdf

此文档对于JESD标准DDR5/DDR4/DDR3做中文解读,轻松理解DDR5/4/3标准。 问题举例: ** DDR5设计目标 ** 为什么Write一般是Center Aligned, Read是Edge Aligned? ** DDR5 Sub Channel设计的优势 ** DDR4 DIMM vs DDR5 DIMM ** 为什么服务器很关心ECC? ** DBI是如何省电的? ** 有Read Leveling吗? ** Prefetch从8到16的意义 ** Dram Size和Page Size如何计算? ...... ** 行业标准: 作者有数年Spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年Dram问题Debug,Spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺! 如对内容质量有疑问,可提前私信咨询。

2021-11-21

JESD79-4B DDR4 JESD79-3F DDR3 精解.pdf

此文档对于JESD标准DDR4和DDR3做中文解读,轻松理解DDR4/DDR3标准。 问题举例: ** 你真的理解SDRAM的S吗? ** 为什么Write一般是Center Aligned, Read是Edge Aligned? ** DDR4为什么没有Vref DQ? ** Mode Register可读了? ** 最大省电模式(Maximum Power Down Mode) ** 为什么服务器很关心ECC? ** DBI是如何省电的? ** 有人会问,有Read Leveling吗? ** Prefetch的作用 ** Dram Size和Page Size如何计算? ** 为什么有MRS,没有MRR? ** DDR4 POD12的起源 ...... ** 行业标准: 作者有数年Spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年Dram问题Debug,Spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺! 如对内容质量有疑问,可提前私信咨询。

2021-11-16

JESD79-3 DDR3 Technology.pdf

此文档对于JESD标准DDR3做英文解读,轻松理解DDR3标准。 此文档为"JESD79-3 DDR3解读"纯正英文版。 问题举例: ** 你真的理解SDRAM的S吗? ** 为什么Write一般是Center Aligned, Read是Edge Aligned? ** BC4有啥用? ** 为什么会有Dynamic ODT? ** BIOS是如何识别DIMM是DDR3或者DDR4的? ** XMP是什么? ** 为什么有Write Leveling? ** 有人会问,有Read Leveling吗? ** Prefetch的作用 ** Dram Size和Page Size如何计算? ** 为什么有MRS,没有MRR? ...... ** 行业标准: 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺! 如对内容质量有疑问,可提前私信咨询。

2021-11-13

JESD79-3 DDR3精解.pdf

此文档对于JESD标准DDR3做中文解读,轻松理解DDR3标准。 问题举例: ** 你真的理解SDRAM的S吗? ** 为什么Write一般是Center Aligned, Read是Edge Aligned? ** BC4有啥用? ** 为什么会有Dynamic ODT? ** BIOS是如何识别DIMM是DDR3或者DDR4的? ** XMP是什么? ** 为什么有Write Leveling? ** 有人会问,有Read Leveling吗? ** Prefetch的作用 ** Dram Size和Page Size如何计算? ** 为什么有MRS,没有MRR? ...... ** 行业标准: 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺! 如对内容质量有疑问,可提前私信咨询。

2021-10-25

JESD79-4 DDR4解读.pdf

此文档对于JESD标准DDR4做中文解读,轻松理解DDR4标准。 ** 行业标准: 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺! 如对内容质量有疑问,可提前私信咨询。

2021-10-13

DRAM技术精解(中文) DDR3_DDR4_DDR5_LPDDR3_LPDDR4_LPDDR5.pdf

本文档为DRAM Technology DDR3_DDR4_DDR5_LPDDR3_LPDDR4_LPDDR5技术精解 中文版. 本文档详细介绍了dram的历史发展中出现的不同技术,以及技术对应的解决方案 这是最详细的介绍, 把基本DDR 到DDR5,LPDDR 到LPDDR5的所有技术都有涉及. 本文花费周期约一年,记录DDR系列和LPDDR系列重要技术的来源和内部原理, 掌握它们会对于理解dram技术有非常大的帮助. 比如: 1 prefetch和burst length的关系 2 ODT技术的阻抗匹配内幕是什么? 3 LPDDR4 LVSTL IO模型的优点 ...... ** 行业标准: 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺!

2021-10-02

Android十年终极开发经验_助您不走弯路_快速晋级Android架构师

作者从事Android开发十年有余,走过的弯路不计其数,深感经验总结有助于在Android上快速前行,早日完全掌握Android,达到Android巅峰! 内容主要包括: *Android 开发积累的重要经验 *Android 开发知识体系 *Android 开发方向 Flutter/Kotlin经验总结 *可维护可扩展 Android 开发攻略 *性能稳定 Android 开发攻略 ** 行业标准: 作者有数年Android开发经验. ** 专业: 数年Android问题debug经验,Android解读专业到位 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答 ** 退款: 作者承诺如果对于文档不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺!

2021-08-08

JESD209-4C LPDDR4解读.pdf

此文档对于JESD标准LPDDR4做中文解读,轻松理解LPDDR4标准。 ** 行业标准: 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺! 如对内容质量有疑问,可提前私信咨询。

2021-08-01

JESD79-3F_DDR3 中文注释解读 v3.pdf

**重要提醒: 解读已更新到v3, 最后更新时间2021-7-18 194945** 此文档对于JESD标准DDR3做中文解读,轻松理解DDR3标准。 为何有此文档? > 笔者曾经在dram领域摸爬滚打数年,深深感受到spec标准文档的理解直接影响到dram知识技术的认知和层次,理解spec文档将极大提高dram水平。数年经验化成一篇解读,不要让时间浪费在不断地寻找spec标准含义的过程中,而是站在经验者之上更上一层楼! 祝每个看过此文档的人都可以为"被某国打压的dram技术"增加技术储备! 解读示例: 1 CK_t和CK_c代表什么? > CK_t: CK True, 代表差分信号的正极性clock, 也就是"真"clock/主clock; CK_c: CK Complement, 代表差分clock的负极clock. 2 CKE和CK的区别: > CKE是指dram clock时钟 enable与否,注意它和上面的CK有本质区别,CKE可以 理解为是颗粒侧的时钟,但CK是controller和dram交互的时钟。 CK如果没有了,CKE没有意义。但CK如果有,CKE可有可无。 CKE拉低,颗粒进入power down模式,可以节省功耗。 3 ZQ为什么一般是240欧姆呢? > 因为一般dram都是通过并联电阻实现设置为指定的电阻值,一般工业级的电阻值 是34, 40, 60, 80, 120欧姆,取最小公倍数,即240欧姆! ......还有更多... ** 本文档不仅仅是DDR3 spec标准文档,而是spec的注释解读 ** ** 翻译成中文? 当然不是翻译, 翻译放到网站上随便都可以翻译出来,此文是带着理解的解读! 深挖spec内部的原理,让您事半功倍!不要被spec卡住您的前途! ** 因为解读是注释,即文中黄色或绿色下划线的注解,试读看不到,正在想方法如何显示给大家看。 ** 行业标准: 作者有数年spec经验. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺! ** 更新: 不定期进行文档更新,保证每读一遍都有不一样的感受。 ** 再次提醒: 试读看到的是标准DDR3 spec, 批注注释才是本文档的价值所在!! 千万不要以为仅仅是DDR3 spec!!

2021-07-18

JESD79-E_DDR 中文注释解读 v2.2.pdf

**重要提醒: 解读已更新到v2.2, 最后更新时间2021-7-17 165220** 此文档对于JESD标准第一代DDR做中文解读,轻松理解DDR标准。 为何有此文档? > 笔者曾经在dram领域摸爬滚打数年,深深感受到spec标准文档的理解直接影响到dram知识技术的认知和层次,理解spec文档将极大提高dram水平。数年经验化成一篇解读,不要让时间浪费在不断地寻找spec标准含义的过程中,而是站在经验者之上更上一层楼! 祝每个看过此文档的人都可以为"被某国打压的dram技术"增加技术储备! 解读示例: 1 CK_t和CK_c代表什么? > CK_t: CK True, 代表差分信号的正极性clock, 也就是"真"clock/主clock; CK_c: CK Complement, 代表差分clock的负极clock. 2 CKE和CK的区别: > CKE是指dram clock时钟 enable与否,注意它和上面的CK有本质区别,CKE可以 理解为是颗粒侧的时钟,但CK是controller和dram交互的时钟。 CK如果没有了,CKE没有意义。但CK如果有,CKE可有可无。 CKE拉低,颗粒进入power down模式,可以节省功耗。 3 ZQ为什么一般是240欧姆呢? > 因为一般dram都是通过并联电阻实现设置为指定的电阻值,一般工业级的电阻值 是34, 40, 60, 80, 120欧姆,取最小公倍数,即240欧姆! ......还有更多... ** 本文档不仅仅是DDR spec标准文档,而是spec的注释解读 ** ** 翻译成中文? 当然不是翻译, 翻译放到网站上随便都可以翻译出来,此文是带着理解的解读! 深挖spec内部的原理,让您事半功倍!不要被spec卡住您的前途! ** 因为解读是注释,即文中黄色或绿色下划线的注解,试读看不到,正在想方法如何显示给大家看。 ** 行业标准: 作者有数年spec经验. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺! ** 更新: 不定期进行文档更新,保证每读一遍都有不一样的感受。 ** 再次提醒: 试读看到的是标准DDR spec, 批注注释才是本文档的价值所在!! 千万不要以为仅仅是DDR spec!!

2021-07-17

JESD209-4B_LPDDR4 中文注释解读.pdf

**重要提醒: 解读已更新到v2, 最后更新时间2021-7-11 161631** ** 本文档不仅仅是LP4 spec标准文档,而是spec的注释解读 ** ** 翻译成中文? 当然不是翻译, 翻译放到网站上随便都可以翻译出来,此文是带着理解的解读! 深挖spec内部的原理,让您事半功倍!不要被spec卡住您的前途! ** 因为解读是注释,即文中黄色或绿色下划线的注解,试读看不到,正在想方法如何显示给大家看。 ** 行业标准: 作者有数年spec经验. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款. ** 更新: 不定期进行文档更新,保证每读一遍都有不一样的感受。 ** 再次提醒: 试读看到的是标准LP4 spec, 批注注释才是本文档的价值所在!! 千万不要以为仅仅是LP4 spec!!

2021-06-18

DRAM Technology DDR3_DDR4_DDR5_LPDDR3_LPDDR4_LPDDR5技术精解.pdf

本文档详细介绍了dram的历史发展中出现的不同技术,以及技术对应的解决方案 这是最详细的介绍, 把基本DDR 到DDR5,LPDDR 到LPDDR5的所有技术都有涉及. 本文花费周期约一年,记录DDR系列和LPDDR系列重要技术的来源和内部原理, 掌握它们会对于理解dram技术有非常大的帮助. 比如: 1 prefetch和burst length的关系 2 ODT技术的阻抗匹配内幕是什么? 3 LPDDR4 LVSTL IO模型的优点 ...... ** 行业标准: 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺! 如对内容质量有疑问,可提前私信咨询。

2021-01-31

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