从SSD角度学习NAND Flash(一)

最新推荐文章于 2024-09-03 21:56:22 发布

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分类专栏： SSD 文章标签： ssd nand

本文链接：https://blog.csdn.net/daijiaruan5860/article/details/111067605

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本文介绍了SSD的前端、中端和后端概念，重点讲解了NAND Flash在SSD中的应用。内容涉及NAND Flash的逻辑结构，包括CH、CE、LUN、Plan、Block和Page，以及SLC和TLC的区别。同时，讨论了NAND Flash的读写单元和擦除单元，并阐述了地址组成和发送顺序。最后提到了NAND Flash存在的限制，如坏块、读写干扰等。

摘要由CSDN通过智能技术生成

开始了解之前先整明白一些概念:
SSD 分为前端，中端，后端。这个跟互联网那个叫法没关系，但其实都是抽象出来的概念，如下图所示:
在这里插入图片描述
因为是学习NAND flash的知识，所以前端后中端我们暂时不管。先聊一下后端的事情，网上关于NAND flash的文章并不算少，但是对于SSD来讲这些可能不够，因为网上的文章大多数的还是在讲平时一些嵌入式中所使用的少量的NAND flash的场景。而SSD中NAND flash是作为主要的部件，以及这个部件还比较多的情况使用，一旦器件多了，事情也就多了。了解NAND FLASH应该有这样(NAND flash原理->NAND flash的data sheet->单科NAND flash的使用->SSD中的NAND flash使用->SSD中的NAND flash controller)
概念(CH-CE-LUN-Plan-Block-Page):
首先我们对于NAND flash的概念应该就是下面这个图片:
在这里插入图片描述
这个一个闪存芯片也叫package/device,一个package呢会有很多的Lun(也叫die)，然后公用CE信号线的我们就称之为一个Target(可以理解target=CE)。Lun呢是NAND 最小的执行命令的单元。每一个NAND flash的data sheet会详细介绍一些feature。基本上概念从大到小就是 CH CE Lun Plan Block Page，下面是一个NAND device的组织结构图